硅碳棒的因?yàn)槠浞�(wěn)定的效果被普遍的使用與電爐中，可以比較穩(wěn)定的提供熱源，那么從電學(xué)來看它是怎樣應(yīng)用的呢？ 　　硅碳棒是在碳化硅sic棒中通電，加熱到1000℃左右，用于1 -25微米，波長(zhǎng)范圍的紅外光源，一般銷售的硅碳棒在直徑6.2毫米、長(zhǎng)度100毫米的棒的中央設(shè)置直徑為6.2毫米、長(zhǎng)度為20毫米的熱輻射區(qū)域，河北粗端式硅碳棒經(jīng)銷商，這種硅碳捧能得到與同一溫度的黑體輻射相當(dāng)接近的熱輻射，平均光譜發(fā)射率可達(dá)0.88左右，輸入功率130瓦（電壓11伏，河北粗端式硅碳棒經(jīng)銷商，河北粗端式硅碳棒經(jīng)銷商，電流12安）時(shí)，能得到1000K的分布溫度。 　　硅碳棒是簡(jiǎn)便的紅外光源，作為光聲光譜用的光源，其輻射束強(qiáng)度低1個(gè)數(shù)量級(jí)以上，為此，輸入功率更高，并在高溫下工作的白熾碳棒被用作光聲光譜的光源。

影響硅碳棒使用壽命的主要因素: ① 使用溫度 硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請(qǐng)盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。 ②表面負(fù)荷 表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。 表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2） 實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(zhǎng)快， SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。

一般在制作硅碳棒時(shí)的次燒結(jié)，都是將碳化硅生料和瀝青、焦油等粘合劑攪拌均勻，并用擠壓機(jī)擠壓成型，然后在隧道窯中直接進(jìn)行燒結(jié)，這種做法會(huì)有一定的缺點(diǎn)�，F(xiàn)在給大家介紹一下新的制作工藝。 　　新的工藝在次燒結(jié)時(shí)是將擠壓成型的胚件，放在真空容器里，抽真空到20~50毫米汞柱，然后以每分鐘5~10攝氏度的升溫速度，從常溫升到350攝氏度，在350攝氏度保溫30分鐘，使胚件各部位均勻的達(dá)到此溫度，再以每分鐘10攝氏度的速度升溫至920攝氏度，在920攝氏度時(shí)保溫30分鐘，可以將殘留的摻合物雜質(zhì)排清，得到較為理想的硅化碳燒結(jié)物。這種燒結(jié)方法在粗真空中進(jìn)行，各種雜質(zhì)成分易揮發(fā)，一次殘留的雜質(zhì)少。 　　第二次燒結(jié)式的原理是在碳化硅胚料的周圍用碳化硅粉末包圍起來，圍用其他埋料，這樣在高溫時(shí)不形成還原性氣氛，而且使碳化硅胚料表面與新生成的碳化硅分子隔離開來，隔離物是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子與碳化硅埋料起作用，而保護(hù)了里面的碳化硅。 　　新的工藝簡(jiǎn)單操作而且將硅碳棒的雜質(zhì)盡可能的減少，提高了產(chǎn)品的性能。同時(shí)在質(zhì)量上又是一個(gè)新的提升。提高了整體的品質(zhì)與使用年限。