我們一般在對螺旋硅碳棒進(jìn)行檢測，主要是要它的使用效果，因?yàn)椴缓细竦牟徊荒苓_(dá)到很好的效果，甚至?xí)绊懻５纳a(chǎn)作業(yè)，在檢測過程中需要做到的是： 1、細(xì)記錄電流表數(shù)據(jù)和溫控表的輸出百分比。 2、爐溫穩(wěn)定在某一溫度時(shí)，若螺旋硅碳棒斷棒，則儀表的輸出百分比較前一時(shí)間段會(huì)加大，電流表顯示電流會(huì)減小。 3、比同溫區(qū)的內(nèi)外兩組硅碳棒電流值和儀表輸出百分比，在同樣輸出百分比的情況下，內(nèi)阻電流應(yīng)接近于外組電流的一半。 4、同溫區(qū)甚至不同爐子做比較，溫度相同時(shí)對比其溫控表的輸出百分比和電流值，內(nèi)組和內(nèi)組做比較，外組和外組做比較，溫控表相同百分比輸出的情況下，黑龍江槍型硅碳棒，電流應(yīng)基本一致。 5、以觀測爐膛，看有沒有黑環(huán)，若有明顯黑環(huán)，斷棒可能性比較大。 正常的情況是，黑龍江槍型硅碳棒，隨著螺旋硅碳棒的老化，其阻值會(huì)增大，黑龍江槍型硅碳棒，在同一輸出百分比的情況下電流值會(huì)減小，所以要注意檢測過程中電流的變化。
一般在制作硅碳棒時(shí)的次燒結(jié)，都是將碳化硅生料和瀝青、焦油等粘合劑攪拌均勻，并用擠壓機(jī)擠壓成型，然后在隧道窯中直接進(jìn)行燒結(jié)，這種做法會(huì)有一定的缺點(diǎn)�，F(xiàn)在給大家介紹一下新的制作工藝。 新的工藝在次燒結(jié)時(shí)是將擠壓成型的胚件，放在真空容器里，抽真空到20~50毫米汞柱，然后以每分鐘5~10攝氏度的升溫速度，從常溫升到350攝氏度，在350攝氏度保溫30分鐘，使胚件各部位均勻的達(dá)到此溫度，再以每分鐘10攝氏度的速度升溫至920攝氏度，在920攝氏度時(shí)保溫30分鐘，可以將殘留的摻合物雜質(zhì)排清，得到較為理想的硅化碳燒結(jié)物。這種燒結(jié)方法在粗真空中進(jìn)行，各種雜質(zhì)成分易揮發(fā)，一次殘留的雜質(zhì)少。 第二次燒結(jié)式的原理是在碳化硅胚料的周圍用碳化硅粉末包圍起來，圍用其他埋料，這樣在高溫時(shí)不形成還原性氣氛，而且使碳化硅胚料表面與新生成的碳化硅分子隔離開來，隔離物是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子與碳化硅埋料起作用，而保護(hù)了里面的碳化硅。 新的工藝簡單操作而且將硅碳棒的雜質(zhì)盡可能的減少，提高了產(chǎn)品的性能。同時(shí)在質(zhì)量上又是一個(gè)新的提升。提高了整體的品質(zhì)與使用年限。
硅碳棒在使用過程中硅碳棒抗氧化的強(qiáng)度，能不能在各溫度段中長時(shí)間的使用，取決于主要決定于硅碳棒是否在高溫中鍍膜，一般在出廠前該設(shè)備調(diào)試時(shí)會(huì)加熱到1600度并保溫，所做的目的是讓硅碳棒表面進(jìn)行氧化，形成一層玻硅膜，阻礙硅碳棒進(jìn)一步氧化，所以高溫使用后的硅碳棒，在任何溫度再保溫也不必再擔(dān)心氧化損壞問題。如果未經(jīng)高溫沒有形成該氧化層，低溫則有可能氧化損傷。 硅碳棒的力學(xué)性能在常溫下具有玻璃的性質(zhì)。在室溫時(shí)，有較高的抗彎和抗張強(qiáng)度，但它的抗沖擊強(qiáng)度卻很低。因此，當(dāng)硅碳棒電熱元件1100攝氏度溫度以下時(shí)，不應(yīng)使它承受任何較大的抗彎和抗擊應(yīng)力。在1350攝氏度以上時(shí)，硅碳棒有很好的延展性。在更高一些溫度下，它能彎折或卷繞成所需要的形狀，但已經(jīng)用過的硅碳棒不能再這樣處理了。 硅碳棒電熱元件一經(jīng)高溫后，表面有二氧化硅析出，形成一層完整的保護(hù)膜，它有良好的抗氧化性能，所以無老化現(xiàn)象。硅碳棒電熱元件不宜在800攝氏度以下長期使用，不能形成較好的氧化膜保護(hù)層，所以適于髙溫電爐中使用。為了冷端的接續(xù)部分與爐子升溫后的路之間有足夠的距離，通孔耐火磚部和接續(xù)部分的下部應(yīng)相距50mm以上。
