DDR3信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題及仿真解決案例隨著DDR信號(hào)速率的升高，信號(hào)電平降低，信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題也會(huì)變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號(hào)通常用在源端加上匹配電阻來(lái)改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會(huì)將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對(duì)于多負(fù)載的控制命令信號(hào)，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動(dòng)能力的選擇等方面，可以通過(guò)仿真 來(lái)得到正確驅(qū)動(dòng)和端接，使DDR工作時(shí)信號(hào)質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時(shí)序裕量。DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)影響計(jì)算機(jī)性能？浙江DDR3測(cè)試眼圖測(cè)試

DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù)，因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整，但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，地址和控制總線是單向信號(hào)，只能從控制器傳向存儲(chǔ)芯片，而數(shù)據(jù)信號(hào)則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號(hào)線除了用來(lái)尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號(hào)統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表�？梢钥吹剑珼DR 控制器對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作，就是通過(guò)控制信號(hào)的狀態(tài)和地址信號(hào)的組合來(lái)完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 浙江DDR3測(cè)試眼圖測(cè)試是否可以使用多個(gè)軟件工具來(lái)執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試？

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過(guò)的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說(shuō)清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單，是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲(chǔ)心片)的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單而廉價(jià)。因此，對(duì)于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，信號(hào)完整性仿真和分析的大部分工作，實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個(gè)時(shí)序圖的正確性。

重復(fù)以上步驟，分別對(duì)MemlMem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。

3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過(guò)程。 如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進(jìn)行一致性測(cè)試？

為了改善地址信號(hào)多負(fù)載多層級(jí)樹形拓?fù)湓斐傻男盘?hào)完整性問(wèn)題，DDR3/4的地址、控制、命令和時(shí)鐘信號(hào)釆用了Fly-by的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)種優(yōu)化了負(fù)載樁線的菊花鏈拓?fù)�。另外，在主板加�?nèi)存條的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，DDR2的地址命令和控制信號(hào)一般需要在主板上加匹配電阻，而DDR3則將終端匹配電阻設(shè)計(jì)在內(nèi)存條上，在主板上不需要額外電阻，這樣可以方便主板布線，也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓?fù)鋵绗F(xiàn)的時(shí)鐘信號(hào)和選通信號(hào)“等長(zhǎng)”問(wèn)題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術(shù)進(jìn)行時(shí)序補(bǔ)償，這在一定程度上降低了布線難度，特別是弱化了字節(jié)間的等長(zhǎng)要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口，新一代DDR4釆用了POD電平接口，它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內(nèi)存也不再使用SlewRateDerating技術(shù)，降低了傳統(tǒng)時(shí)序計(jì)算的復(fù)雜度。DDR3一致性測(cè)試期間可能發(fā)生的常見錯(cuò)誤有哪些？浙江HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試

如何確保DDR3內(nèi)存模塊的兼容性進(jìn)行一致性測(cè)試？浙江DDR3測(cè)試眼圖測(cè)試

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過(guò)對(duì) DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R2.pdf」的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來(lái)解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 浙江DDR3測(cè)試眼圖測(cè)試