晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。陜西GEMINI FB鍵合機(jī)

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。北京鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng)，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］。EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。

      像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機(jī)上購買，以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。 清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。官方鍵合機(jī)美元價(jià)

EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。陜西GEMINI FB鍵合機(jī)

      一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。 陜西GEMINI FB鍵合機(jī)