集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來(lái)尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測(cè)量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測(cè)量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測(cè)量，另外可選配模組來(lái)延伸蕞小測(cè)量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測(cè)繪的版本可供選擇。測(cè)量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測(cè)量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測(cè)量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度系統(tǒng)測(cè)試應(yīng)力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自動(dòng)的200mm和300mm硅片檢查，自動(dòng)檢驗(yàn)和聚焦的能力。分銷膜厚儀推薦型號(hào)

FSM413紅外干涉測(cè)量設(shè)備關(guān)鍵詞：厚度測(cè)量，光學(xué)測(cè)厚，非接觸式厚度測(cè)量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測(cè)厚，近紅外光測(cè)厚，TSV,CD,Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測(cè)量，石英厚度，聚合物厚度,背磨厚度，上下兩個(gè)測(cè)試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話，可以給我留言！產(chǎn)品名稱：紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備·產(chǎn)品型號(hào)：FSM413EC,FSM413MOT，F(xiàn)SM413SADP，F(xiàn)SM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息，請(qǐng)聯(lián)系我們岱美儀器。 測(cè)厚儀膜厚儀服務(wù)為先應(yīng)用：襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)，平整度。

樣品視頻包括硬件和照相機(jī)的F20系統(tǒng)視頻。視頻實(shí)時(shí)顯示精確測(cè)量點(diǎn)。 不包括SS-3平臺(tái)。SampleCam-sXsX探頭攝像機(jī)包含改裝的sX探頭光學(xué)配件，但不包含平臺(tái)。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺(tái)，具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺(tái)。能夠升級(jí)成電動(dòng)測(cè)繪與自動(dòng)對(duì)焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動(dòng)樣品平臺(tái)?？梢赃M(jìn)行100mm高精度XY平移，包括自動(dòng)焦距調(diào)節(jié)。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡（15倍反射式物鏡）及X-Y平臺(tái)。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺(tái)及照明光纖. 需另選購(gòu)物鏡. 通常使用顯微鏡內(nèi)建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺(tái)，包括光纖，和 F10-AR 一起使用。 波長(zhǎng)范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺(tái)的透射測(cè)量可選件。包括光纖、平臺(tái)轉(zhuǎn)接器和平臺(tái)支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉(zhuǎn)平臺(tái)。

電介質(zhì)成千上萬(wàn)的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個(gè)行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測(cè)量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – 蕞簡(jiǎn)單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無(wú)吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長(zhǎng)的二氧化硅對(duì)光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來(lái)做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測(cè)量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對(duì)此薄膜的測(cè)量比很多電介質(zhì)困難，因?yàn)楣瑁旱嚷释ǔ２皇?：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時(shí)測(cè)量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測(cè)量難度。 但是幸運(yùn)的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測(cè)量氮化硅薄膜完整特征!一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺(tái)式測(cè)量系統(tǒng)。 測(cè)量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。

生物醫(yī)療設(shè)備涂層應(yīng)用生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會(huì)用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測(cè)量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無(wú)法檢測(cè)到會(huì)導(dǎo)致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層的不均勻性。F30樣品層:分子束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積: 可以測(cè)量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。分銷膜厚儀推薦型號(hào)

F50-XT測(cè)厚范圍：0.2μm-450μm；波長(zhǎng)：1440-1690nm。分銷膜厚儀推薦型號(hào)

F54包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置MA-Cmount安裝轉(zhuǎn)接器顯微鏡轉(zhuǎn)接器光纖連接線BK7參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度標(biāo)準(zhǔn)聚焦/厚度標(biāo)準(zhǔn)4",6"and200mm參考晶圓真空泵備用燈型號(hào)厚度范圍*波長(zhǎng)范圍F54:20nm-40μm380-850nmF54-UV:4nm-30μm190-1100nmF54-NIR:40nm-100μm950-1700nmF54-EXR:20nm-100μm380-1700nmF54-UVX:4nm-100μm190-1700nm*取決于材料與顯微鏡額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫(kù),隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃分銷膜厚儀推薦型號(hào)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司擁有磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù) 等多項(xiàng)業(yè)務(wù)，主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司深耕半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。