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芯片鍵合機(jī)應(yīng)用

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-24

完美的多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶,各種訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言) 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì),占用空間蕞小 支持紅外對準(zhǔn)過程 EVG®610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動(dòng) 可選:電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償:自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):2個(gè)卡帶站 可選:蕞多5個(gè)站在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。芯片鍵合機(jī)應(yīng)用

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熔融和混合鍵合系統(tǒng):熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器?;旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接?;旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)室鍵合機(jī)摩擦學(xué)應(yīng)用晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能;200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。

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真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持

晶圓級封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程??s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),可以實(shí)現(xiàn)晶圓級封裝的功能。自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560,擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站。

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EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體:2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體(N2和O2)通用質(zhì)量流量控制器:自校準(zhǔn)(高達(dá)20.000sccm)真空系統(tǒng):9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉:自動(dòng)化腔室的加載/卸載:手動(dòng)(將晶圓/基板放置在加載銷上)可選功能:卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/Si(熱氧化)TEOS/TEOS(熱氧化)絕緣體鍺(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半導(dǎo)體:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)針對高級封裝,MEMS,3D集成等不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)鍵合模塊。聯(lián)電鍵合機(jī)干涉測量應(yīng)用

以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長。芯片鍵合機(jī)應(yīng)用

臨時(shí)鍵合系統(tǒng):臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。芯片鍵合機(jī)應(yīng)用

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