半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。

      imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來(lái)改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過(guò)與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績(jī)。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?EVG服務(wù)：高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。上海EVG鍵合機(jī)

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器（面對(duì)面，背面，紅外和透明對(duì)準(zhǔn)） 無(wú)需Z軸運(yùn)動(dòng)，也無(wú)需重新聚焦 基于Windows的用戶(hù)界面 將鍵對(duì)對(duì)準(zhǔn)并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動(dòng)或全自動(dòng)配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對(duì)盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站（蕞/大200毫米）或2個(gè)FOUP加載端口（300毫米）江蘇鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對(duì)準(zhǔn)。

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測(cè)試儀來(lái)測(cè)試它所攜帶的眾多芯片，這些測(cè)試儀將測(cè)試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵(lì)，激勵(lì)和讀取相關(guān)的測(cè)試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到蕞終的組件或集成電路中，而只會(huì)在蕞終測(cè)試時(shí)被拒絕。一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺(jué)隔離。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以?xún)?yōu)化芯片恢復(fù)率。

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

EVG®850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征：

開(kāi)放式膠粘劑平臺(tái)；

各種載體（硅，玻璃，藍(lán)寶石等）；

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；

提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合；

程序控制系統(tǒng)；

實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù)；

完全集成的SECS/GEM接口；

可選的集成在線計(jì)量模塊，用于自動(dòng)反饋回路；

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長(zhǎng)300毫米，可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態(tài)

外套模塊

帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊

通過(guò)光學(xué)或機(jī)械對(duì)準(zhǔn)來(lái)對(duì)準(zhǔn)模塊

鍵合模塊：

選件

在線計(jì)量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。EVG850 LT鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。上海EVG鍵合機(jī)

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類(lèi)型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無(wú)應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng)，無(wú)應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無(wú)關(guān)。 特征 將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng)，無(wú)應(yīng)力和無(wú)空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓 上海EVG鍵合機(jī)