非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在,在兩級之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學常數(shù)(n和k)對不同沉積條件是獨特的，必須有精確的厚度測量。測量厚度時還必須考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風化。Filmetrics設(shè)備提供的復雜的測量程序同時測量和輸出每個要求的硅薄膜參數(shù)，并且“一鍵”出結(jié)果。測量范例多晶硅被廣范用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備的效率取決于薄膜的光學和結(jié)構(gòu)特性。隨著沉積和退火條件的改變，這些特性隨之改變，所以準確地測量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間，加入二氧化硅層，以增加光學對比，其薄膜厚度和光學特性均可測得。F20可以很容易地測量多晶硅薄膜的厚度和光學常數(shù)，以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學模型被用來測量多晶硅薄膜光學特性。F50-XT測厚范圍：0.2μm-450μm；波長：1440-1690nm。干涉膜厚儀推薦廠家

（光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數(shù)測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標準配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。液晶顯示膜厚儀推薦型號F3-s980 是波長為980奈米的版本，是為了針對成本敏銳的應(yīng)用而設(shè)計。

F54包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置MA-Cmount安裝轉(zhuǎn)接器顯微鏡轉(zhuǎn)接器光纖連接線BK7參考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度標準聚焦/厚度標準4",6"and200mm參考晶圓真空泵備用燈型號厚度范圍*波長范圍F54:20nm-40μm380-850nmF54-UV:4nm-30μm190-1100nmF54-NIR:40nm-100μm950-1700nmF54-EXR:20nm-100μm380-1700nmF54-UVX:4nm-100μm190-1700nm*取決于材料與顯微鏡額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃

F10-AR無須處理涂層背面我們探頭設(shè)計能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的鏡頭抑制的更多。就像我們所有的臺式儀器一樣，F(xiàn)10-AR需要連接到您裝有Windows計算機的USB端口上并在數(shù)分鐘內(nèi)即可完成設(shè)定。包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置FILMeasure8軟件FILMeasure獨力軟件(用于遠程數(shù)據(jù)分析)CP-1-1.3探頭BK7參考材料整平濾波器(用于高反射基板)備用燈額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一-周五）網(wǎng)上的“手把手”支持(需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級計劃產(chǎn)品名稱：紅外干涉厚度測量設(shè)備。

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學，半導體，以及其它數(shù)十個行業(yè),而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。測量范例氮化硅薄膜作為電介質(zhì)，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應(yīng)用于半導體產(chǎn)業(yè)。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學性質(zhì)與薄膜的分子當量緊密相關(guān)。使用Filmetrics專有的氮化硅擴散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學性質(zhì)，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當量。F50測厚范圍：20nm-70μm；波長：380-1050nm。光刻膠膜厚儀美元價格

F3-sX系列使用近紅外光來測量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來不透光(例如半導體)。干涉膜厚儀推薦廠家

F30系列監(jiān)控薄膜沉積，蕞強有力的工具F30光譜反射率系統(tǒng)能實時測量沉積率、沉積層厚度、光學常數(shù)(n和k值)和半導體以及電介質(zhì)層的均勻性。樣品層分子束外延和金屬有機化學氣相沉積:可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。這實際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導體材料。各項優(yōu)點:極大地提高生產(chǎn)力低成本—幾個月就能收回成本A精確—測量精度高于±1%快速—幾秒鐘完成測量非侵入式—完全在沉積室以外進行測試易于使用—直觀的Windows?軟件幾分鐘就能準備好的系統(tǒng)型號厚度范圍*波長范圍F30:15nm-70μm380-1050nmF30-EXR:15nm-250μm380-1700nmF30-NIR:100nm-250μm950-1700nmF30-UV:3nm-40μm190-1100nmF30-UVX:3nm-250μm190-1700nmF30-XT:0.2μm-450μm1440-1690nm干涉膜厚儀推薦廠家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司正式組建于2002-02-07，將通過提供以半導體工藝設(shè)備，半導體測量設(shè)備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀等服務(wù)于于一體的組合服務(wù)。岱美中國經(jīng)營業(yè)績遍布國內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū)，業(yè)務(wù)布局涵蓋半導體工藝設(shè)備，半導體測量設(shè)備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀等板塊。我們強化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于半導體工藝設(shè)備，半導體測量設(shè)備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀等實現(xiàn)一體化，建立了成熟的半導體工藝設(shè)備，半導體測量設(shè)備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀運營及風險管理體系，累積了豐富的儀器儀表行業(yè)管理經(jīng)驗，擁有一大批專業(yè)人才。公司坐落于金高路2216弄35號6幢306-308室，業(yè)務(wù)覆蓋于全國多個省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收，進一步為當?shù)亟?jīng)濟、社會協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻。