EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：ZUI多5個(gè)站EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號用于研發(fā)的鍵合機(jī)。陜西官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機(jī)

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］。湖南鍵合機(jī)美元價(jià)我們的服務(wù)包括通過安全的連接，電話或電子郵件，對包括現(xiàn)場驗(yàn)證，進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。

EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作ZUI大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如獨(dú)LI的頂側(cè)和底側(cè)加熱器，高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。特征：全自動(dòng)處理，手動(dòng)裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量選項(xiàng)：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質(zhì)量流量控制器集成冷卻技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：1E-5mbar可選：1E-6mbar

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。3)由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進(jìn)一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。我們在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活，用于PAWB（等離子基活的晶圓鍵合）。云南EVG620鍵合機(jī)

EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù)。陜西官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機(jī)

GEMINI ® FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實(shí)現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。陜西官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是以提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù)，為消費(fèi)者多方位提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測量儀，公司成立于2002-02-07，旗下EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB,ThetaMetrisi，已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平。岱美中國致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力，岱美中國將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù)，滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求。