BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結合增強的邊緣對準技術，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。EV Group鍵合機高性價比選擇

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術［1］。實現(xiàn)封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術［2］。由于表面有微結構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求，要進行復雜的拋光處理，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。絕緣體上的硅鍵合機值得買晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501適用于學術界和工業(yè)研究。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發(fā)機構或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉移，這樣可以輕松擴大生產(chǎn)量。

EVG鍵合機加工結果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優(yōu)勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。

EVG®620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站EMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。晶片鍵合機價格怎么樣

EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EV Group鍵合機高性價比選擇

EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EV Group鍵合機高性價比選擇

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