EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補(bǔ)償全自動軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達(dá)100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光；先進(jìn)的對準(zhǔn)功能：手動對準(zhǔn)/原位對準(zhǔn)驗證手動交叉校正大間隙對準(zhǔn)；EVG®610光刻機(jī)系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)是“無紫外線”。HERCULES對準(zhǔn)精度：上側(cè)對準(zhǔn)：≤±0.5μm；底側(cè)對準(zhǔn)：≤±1,0μm；紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基材。高校光刻機(jī)技術(shù)原理

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)涂層模塊-旋轉(zhuǎn)器參數(shù)轉(zhuǎn)速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm噴涂模塊-噴涂產(chǎn)生超聲波霧化噴嘴/高粘度噴嘴；開發(fā)模塊-分配選項水坑顯影/噴霧顯影EVG101光刻膠處理系統(tǒng)；附加模塊選項：預(yù)對準(zhǔn)：機(jī)械系統(tǒng)控制參數(shù)：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個作業(yè)/實時遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR四川高校光刻機(jī)EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個底部對準(zhǔn)系統(tǒng)，可以在頂部和雙面光刻。

EVG®150--光刻膠自動處理系統(tǒng)EVG®150是全自動化光刻膠處理系統(tǒng)中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達(dá)300毫米。EVG150設(shè)計為完全模塊化的平臺，可實現(xiàn)自動噴涂/旋轉(zhuǎn)/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復(fù)性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray技術(shù)進(jìn)行均勻涂覆，而傳統(tǒng)的旋涂技術(shù)則受到限制。EVG®150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)六個過程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)二十個烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載

HERCULES光刻軌道系統(tǒng)特征：生產(chǎn)平臺以蕞小的占地面積結(jié)合了EVG精密對準(zhǔn)和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢；多功能平臺支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理；高達(dá)52,000cP的涂層可制造高度高達(dá)300微米的超厚光刻膠特征；CoverSpinTM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的優(yōu)化的涂層；納流®涂布，并通過結(jié)構(gòu)的保護(hù)；自動面膜處理和存儲；光學(xué)邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；使用橋接工具系統(tǒng)對多種尺寸的晶圓進(jìn)行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)；多用戶的概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）。整個晶圓表面高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計和不斷提高EVG掩模對準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8頂側(cè)和底側(cè)對準(zhǔn)能力高精度對準(zhǔn)臺自動楔形補(bǔ)償序列電動和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術(shù)蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠(yuǎn)程技術(shù)支持多用戶的概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉(zhuǎn)換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機(jī)版EVG®610附加功能：鍵對準(zhǔn)紅外對準(zhǔn)納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術(shù)數(shù)據(jù)：對準(zhǔn)方式上側(cè)對準(zhǔn)：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對準(zhǔn)：≤±2,0μm了解客戶需求和有效的全球支持，這是我們提供優(yōu)先解決方案的重要基礎(chǔ)。半導(dǎo)體光刻機(jī)美元報價

EVG已經(jīng)與研究機(jī)構(gòu)合作超過35年，可以深入了解他們的獨特需求。高校光刻機(jī)技術(shù)原理

IQAligner®■晶圓規(guī)格高達(dá)200mm/300mm■某一時間內(nèi)（弟一次印刷/對準(zhǔn)）>90wph/80wph■頂/底部對準(zhǔn)精度達(dá)到±0.5μm/±1.0μm■接近過程100/%無觸點■可選Ergoload磁盤，SMIF或者FOUP■經(jīng)準(zhǔn)的跳動補(bǔ)償，實現(xiàn)ZUI佳的重疊對準(zhǔn)■手動裝載晶圓的功能■IR對準(zhǔn)能力–透射或者反射IQAligner®NT■零輔助橋接工具-雙基片，支持200mm和300mm規(guī)格■無以倫比的吞吐量（弟一次印刷/對準(zhǔn)）>200wph/160wph■頂/底部對準(zhǔn)精度達(dá)到±250nm/±500nm■接近過程100/%無觸點■暗場對準(zhǔn)能力/全場青除掩模（FCMM）■經(jīng)準(zhǔn)的跳動補(bǔ)償，實現(xiàn)ZUI佳的重疊對準(zhǔn)■智能過程控制和性能分析框架軟件平臺高校光刻機(jī)技術(shù)原理