EVG®610紫外線納米壓印光刻系統(tǒng)具有紫外線納米壓印功能的通用研發(fā)掩膜對準(zhǔn)系統(tǒng)，從碎片到蕞大達150毫米。該工具支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，并且可以選擇背面對準(zhǔn)。此外，該系統(tǒng)還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，以改變用戶需求，光刻和NIL之間的轉(zhuǎn)換時間瑾為幾分鐘。其先進的多用戶概念可以適應(yīng)從初學(xué)者到**級別的所有需求，因此使其成為大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用程序的理想選擇。分步重復(fù)刻印通常用于高效制造晶圓級光學(xué)器件或EVG的Smart NIL工藝所需的母版。HERCULES NIL納米壓印應(yīng)用

EVG®520HE特征：用于聚合物基材和旋涂聚合物的熱壓印和納米壓印應(yīng)用自動化壓花工藝EVG專有的獨力對準(zhǔn)工藝，用于光學(xué)對準(zhǔn)的壓印和壓印氣動壓花選項軟件控制的流程執(zhí)行EVG®520HE技術(shù)數(shù)據(jù)加熱器尺寸：150毫米，200毫米蕞大基板尺寸：150毫米，200毫米蕞小基板尺寸：單芯片，100毫米蕞大接觸力：10、20、60、100kN最高溫度：標(biāo)準(zhǔn)：350°C；可選：550°C粘合卡盤系統(tǒng)/對準(zhǔn)系統(tǒng)150毫米加熱器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200200毫米加熱器：EVG®6200，MBA300，的SmartView®NT真空：標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：0.00001mbarHERCULES NIL納米壓印應(yīng)用HERCULES?NIL是完全集成的納米壓印光刻解決方案，可實現(xiàn)300 mm的大批量生產(chǎn)。

EVG®770特征：微透鏡用于晶片級光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL®簡單實施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實時圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補償可選的自動盒帶間處理EVG®770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線）>100mW/cm2對準(zhǔn)：頂側(cè)顯微鏡，用于實時重疊校準(zhǔn)≤±500nm和精細校準(zhǔn)≤±300nm手個印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區(qū)域：長達50x50毫米自動分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。

EVG®720自動SmartNIL®UV納米壓印光刻系統(tǒng)自動全視野的UV納米壓印溶液達150毫米，設(shè)有EVGs專有SmartNIL®技術(shù)EVG720系統(tǒng)利用EVG的創(chuàng)新SmartNIL技術(shù)和材料專業(yè)知識，能夠大規(guī)模制造微米和納米級結(jié)構(gòu)。具有SmartNIL技術(shù)的EVG720系統(tǒng)能夠在大面積上印刷小至40nm*的納米結(jié)構(gòu)，具有無人能比的吞吐量，非常適合批量生產(chǎn)下一代微流控和光子器件，例如衍射光學(xué)元件（DOEs）。*分辨率取決于過程和模板如果需要詳細的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。也可以訪問岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司的官網(wǎng)，獲得更多信息。SmartNIL集成多次使用的軟標(biāo)記處理功能，并具有顯著的擁有成本的優(yōu)勢，同時保留可擴展性和易于維護的特點。

EVG®620NT特征：頂部和底部對準(zhǔn)能力高精度對準(zhǔn)臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術(shù)ZUI小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠程技術(shù)支持多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）敏捷處理和轉(zhuǎn)換工具臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®620NT附加功能：鍵對準(zhǔn)紅外對準(zhǔn)SmartNILμ接觸印刷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）標(biāo)準(zhǔn)光刻：ZUI大150毫米的碎片柔軟的UV-NIL：ZUI大150毫米的碎片SmartNIL®：在100毫米范圍解析度：≤40nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：軟UV-NIL＆SmartNIL®曝光源：汞光源或紫外線LED光源對準(zhǔn)：軟NIL：≤±0.5μmSmartNIL®：≤±3微米自動分離：柔紫外線NIL：不支持；SmartNIL®：支持工作印章制作：柔軟的UV-NIL：外部：SmartNIL®：支持EV Group的一系列高精度熱壓花系統(tǒng)是基于該公司市場領(lǐng)仙的晶圓鍵合技術(shù)。HERCULES NIL納米壓印應(yīng)用

EVG?720/EVG?7200/EVG?7200LA是自動化的全場域納米壓印解決方案，適用于第三代基材。HERCULES NIL納米壓印應(yīng)用

具體說來就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動，因為標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確?？绺鹘M件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。（來自網(wǎng)絡(luò)。HERCULES NIL納米壓印應(yīng)用