EVG®520HE熱壓印系統(tǒng)特色：經(jīng)通用生產(chǎn)驗(yàn)證的熱壓印系統(tǒng)，可滿(mǎn)足蕞高要求EVG520HE半自動(dòng)熱壓印系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于對(duì)熱塑性基材進(jìn)行高精度壓印。EVG的這種經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的系統(tǒng)可以接受直徑蕞大為200mm的基板，并且與標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)兼容。熱壓印系統(tǒng)配置有通用壓花腔室以及高真空和高接觸力功能，并管理適用于熱壓印的整個(gè)聚合物范圍。結(jié)合高縱橫比壓印和多種脫壓選項(xiàng)，提供了許多用于高質(zhì)量圖案轉(zhuǎn)印和納米分辨率的工藝。如果需要詳細(xì)的信息，請(qǐng)聯(lián)系岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。SmartNIL 非常適合對(duì)具有復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)微流控芯片進(jìn)行高精度圖案化，用在下一代藥 物研究和醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備生產(chǎn)。EV Group納米壓印試用

EVG®610紫外線(xiàn)納米壓印光刻系統(tǒng)具有紫外線(xiàn)納米壓印功能的通用研發(fā)掩膜對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，從碎片到ZUI大150毫米。該工具支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，并且可以選擇背面對(duì)準(zhǔn)。此外，該系統(tǒng)還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，以改變用戶(hù)需求，光刻和NIL之間的轉(zhuǎn)換時(shí)間瑾為幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶(hù)概念可以適應(yīng)從初學(xué)者到**級(jí)別的所有需求，因此使其成為大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用程序的理想選擇。微接觸納米壓印芯片堆疊應(yīng)用EVG ? 6200 NT是SmartNIL UV紫外光納米壓印光刻系統(tǒng)。

EVG®770分步重復(fù)納米壓印光刻系統(tǒng)分步重復(fù)納米壓印光刻技術(shù)，可進(jìn)行有效的母版制作EVG770是用于步進(jìn)式納米壓印光刻的通用平臺(tái)，可用于有效地進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。這種方法允許從蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。將鉆石車(chē)削或直接寫(xiě)入方法相結(jié)合，分步重復(fù)刻印通常用于有效地制造晶圓級(jí)光學(xué)器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。EVG770的主要功能包括精確的對(duì)準(zhǔn)功能，完整的過(guò)程控制以及可滿(mǎn)足各種設(shè)備和應(yīng)用需求的靈活性。

納米壓印光刻（NIL）-SmartNIL®用于大批量生產(chǎn)的大面積軟UV納米壓印光刻工藝介紹：EVG是納米壓印光刻（NIL）的市場(chǎng)領(lǐng)仙設(shè)備供應(yīng)商。EVG開(kāi)拓這種非常規(guī)光刻技術(shù)多年，掌握了NIL并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。EVG的專(zhuān)有SmartNIL技術(shù)通過(guò)多年的研究，開(kāi)發(fā)和現(xiàn)場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了優(yōu)化，以解決常規(guī)光刻無(wú)法滿(mǎn)足的納米圖案要求。SmartNIL可以提供低至40nm或更小的出色的共形烙印結(jié)果。如果要獲得詳細(xì)信息，請(qǐng)聯(lián)系岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司或者訪(fǎng)問(wèn)官網(wǎng)。納米壓印是一種利用納米技術(shù)進(jìn)行壓印的方法。

SmartNIL是行業(yè)領(lǐng)仙的NIL技術(shù)，可對(duì)小于40nm*的極小特征進(jìn)行圖案化，并可以對(duì)各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀進(jìn)行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術(shù)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)無(wú)人可比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長(zhǎng)期前景，即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級(jí)和納米級(jí)結(jié)構(gòu)的低成本，大批量替代光刻技術(shù)。注：分辨率取決于過(guò)程和模板如果需要詳細(xì)的信息，請(qǐng)聯(lián)系岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。SmartNIL技術(shù)可提供功能強(qiáng)大的下一代光刻技術(shù)，幾乎具有無(wú)限的結(jié)構(gòu)尺寸和幾何形狀功能。步進(jìn)重復(fù)納米壓印有誰(shuí)在用

NIL已被證明是在大面積上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)圖案的蕞具成本效益的方法。EV Group納米壓印試用

具體說(shuō)來(lái)就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來(lái)或正或負(fù)的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過(guò)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開(kāi)發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過(guò)電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來(lái)更加“物理可控”的生產(chǎn)過(guò)程。EV Group納米壓印試用