焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時對其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍，但它也被認為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進行球焊或楔焊，因為焊線的敏感性和損壞電路的風(fēng)險。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個過程都可以完全自動化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。EVG320鍵合機優(yōu)惠價格

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準(zhǔn)問題，實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。北京EVG805鍵合機EVG501晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

對準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

EVG鍵合機加工結(jié)果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設(shè)計，可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計 各種鍵合對準(zhǔn)（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。使用直接（實時）或間接對準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù)。EVG鍵合機可使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術(shù)，可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng)，很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習(xí)，然后再嘗試進行引線鍵合。EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。中國香港鍵合機售后服務(wù)

LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活，用于PAWB（等離子基活的晶圓鍵合）。EVG320鍵合機優(yōu)惠價格

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。EVG320鍵合機優(yōu)惠價格