EVG®560自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動化晶圓鍵合系統(tǒng)蕞多可容納四個鍵合室，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓。EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計，并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強(qiáng)的過程控制和自動化功能，可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機(jī)器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。特征全自動處理，可自動裝卸鍵合卡盤多達(dá)四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠(yuǎn)程在線診斷技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸150、200、300毫米裝載室使用5軸機(jī)器人蕞/高鍵合模塊4個。 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。江蘇EVG850 TB鍵合機(jī)

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī)，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 絕緣體上的硅鍵合機(jī)推薦型號EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

EVG®850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器（面對面，背面，紅外和透明對準(zhǔn)） 無需Z軸運(yùn)動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊，然后再裝入鍵合室手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ® NT選件 可以與EVG組合® 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ® 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ®有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個紙盒站（蕞/大200毫米）或2個FOUP加載端口（300毫米）EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的zhuyao市場份額，并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500套。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質(zhì)量。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對準(zhǔn)。GEMINI鍵合機(jī)學(xué)校會用嗎

EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。江蘇EVG850 TB鍵合機(jī)

一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。江蘇EVG850 TB鍵合機(jī)