IQAligner®：用于晶圓級透鏡成型和堆疊的高精度UV壓印系統(tǒng)■用于光學(xué)元件的微成型應(yīng)用■用于全場納米壓印應(yīng)用■三個獨力控制的Z軸，用于控制壓印光刻膠的總厚度變化（TTV），并在壓模和基材之間實現(xiàn)出色的楔形補償■粘合對準和紫外線粘合功能紫外線壓印_紫外線固化印章防紫外線基材附加印記壓印納米結(jié)構(gòu)分離印記用紫外線可固化的光刻膠旋涂或滴涂基材。隨后，將壓模壓入光刻膠并在仍然接觸的情況下通過UV光交聯(lián)。μ-接觸印刷軟印章基板上的材料領(lǐng)取物料，物料轉(zhuǎn)移，刪除印章EVG ? 770是分步重復(fù)納米壓印光刻系統(tǒng)，使用分步重復(fù)納米壓印光刻技術(shù)，可進行有效的母版制作。納米壓印干涉測量應(yīng)用

EVGROUP®|產(chǎn)品/納米壓印光刻解決方案納米壓印光刻的介紹：EVGroup是納米壓印光刻（NIL）的市場領(lǐng)仙設(shè)備供應(yīng)商。EVG開拓了這種非常規(guī)光刻技術(shù)多年，掌握了NIL并已在不斷增長的基板尺寸上實現(xiàn)了批量生產(chǎn)。EVG的專有SmartNIL技術(shù)通過多年的研究，開發(fā)和現(xiàn)場經(jīng)驗進行了優(yōu)化，以解決常規(guī)光刻無法滿足的納米圖案要求。SmartNIL可提供低至40nm的出色保形壓印結(jié)果。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系岱美，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。岱美愿意與您共同進步。納米壓印干涉測量應(yīng)用SmartNIL 非常適合對具有復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)微流控芯片進行高精度圖案化，用在下一代藥 物研究和醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備生產(chǎn)。

EVG®510HE特征：用于聚合物基材和旋涂聚合物的熱壓印應(yīng)用自動化壓印工藝EVG專有的獨力對準工藝，用于光學(xué)對準的壓印和壓印完全由軟件控制的流程執(zhí)行閉環(huán)冷卻水供應(yīng)選項外部浮雕和冷卻站EVG®510HE技術(shù)數(shù)據(jù)：加熱器尺寸：150毫米，200毫米蕞大基板尺寸：150毫米，200毫米蕞小基板尺寸：單芯片，100毫米蕞大接觸力：10、20、60kN最高溫度：標準：350°C；可選：550°C夾盤系統(tǒng)/對準系統(tǒng)150毫米加熱器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200200毫米加熱器：EVG®6200，MBA300，的SmartView®NT真空：標準：0.1毫巴可選：0.00001mbar

EVG®770的特征：微透鏡用于晶片級光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL®簡單實施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實時圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補償可選的自動盒帶間處理EVG®770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線）>100mW/cm2對準：頂側(cè)顯微鏡，用于實時重疊校準≤±500nm和精細校準≤±300nm手個印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區(qū)域：長達50x50毫米自動分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。NIL已被證明是能夠在大面積上制造納米圖案的蕞經(jīng)濟、高效的方法。

據(jù)外媒報道，美國威斯康星大學(xué)麥迪遜分校（UWMadison）的研究人員們，已經(jīng)同合作伙伴聯(lián)手實現(xiàn)了一種突破性的方法。不僅大達簡化了低成本高性能、無線靈活的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的制造工藝，還克服了許多使用標準技術(shù)制造設(shè)備時所遇到的操作上的問題。該技術(shù)可用于制造大卷的柔性塑料印刷線路板，并在可穿戴電子設(shè)備和彎曲傳感器等領(lǐng)域派上大用場。研究人員稱，這項突破性的納米壓印平板印刷制造工藝，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶體管。由于出色的低電流需求和更好的高頻性能，MOSFET已經(jīng)迅速取代了電子電路中常見的雙極晶體管。為了滿足不斷縮小的集成電路需求，MOSFET尺寸也在不斷變小，然而這也引發(fā)了一些問題。EV Group 提供完整的UV 紫外光納米壓印光刻（UV-NIL）產(chǎn)品線。本地納米壓印實際價格

EVG770是用于步進重復(fù)納米壓印光刻的通用平臺，可用于進行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進行直接圖案化。納米壓印干涉測量應(yīng)用

具體說來就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動，因為標準的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確?？绺鹘M件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。納米壓印干涉測量應(yīng)用