EVGroup企業(yè)技術總監(jiān)ThomasGlinsner博士證實：“我們看到支持晶圓級光學器件的設備需求正在急劇增加?！薄癑IN從今年年初開始，我們就向大型WLO制造商交付了多個用于透鏡成型和堆疊以及計量的系統(tǒng)，以進行大批量生產。此類訂單進一步鞏固了EVG在該領域市場LINGDAOZHE的地位，同時創(chuàng)造了新興應用程序中有大量新機會?！睒I(yè)界LINGXIAN的設備制造商ZUI近宣布了擴大其傳感領域業(yè)務目標的計劃，以幫助解決客戶日益激進的上市時間窗口。根據(jù)市場研究和策略咨詢公司YoleDéveloppement的說法，下一代智能手機中正在設計十多種傳感器。其中包括3D感測相機，指紋傳感器，虹膜掃描儀，激光二極管發(fā)射器，激光測距儀和生物傳感器?？傮w而言，光纖集線器預計將從2016年的106億美元增長到2021年的180億美元，復合年增長率超過11％*。EVG在要求嚴苛的應用中積累了多年的光刻膠旋涂和噴涂經驗。甘肅傳感器光刻機

EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）特色：EVG®620NT提供國家的本領域掩模對準技術在ZUI小化的占位面積，支持高達150毫米晶圓尺寸。技術數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱，在ZUI小的占位面積上結合了先進的對準功能和ZUI優(yōu)化的總體擁有成本，提供了ZUI先進的掩模對準技術。它是光學雙面光刻的理想工具，可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案，以滿足大批量生產要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件，ZUI短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。安徽EV Group光刻機EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動到自動的基片處理，能夠實現(xiàn)現(xiàn)場升級。

EVG®610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''頂側和底側對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術ZUI小化系統(tǒng)占地面積和設施要求分步流程指導遠程技術支持多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）便捷處理和轉換重組臺式或帶防震花崗巖臺的單機版EVG®610附加功能：鍵對準紅外對準納米壓印光刻（NIL）EVG®610技術數(shù)據(jù)：對準方式上側對準：≤±0.5μm底面要求：≤±2,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對準：≤±2,0μmNIL對準：≤±2,0μm

EVG®620NT掩模對準系統(tǒng)（半自動/自動）特色：EVG®620NT提供國家的本領域掩模對準技術在蕞小化的占位面積，支持高達150毫米晶圓尺寸。技術數(shù)據(jù)：EVG620NT以其多功能性和可靠性而著稱，在蕞小的占位面積上結合了先進的對準功能和蕞優(yōu)化的總體擁有成本，提供了蕞先近的掩模對準技術。它是光學雙面光刻的理想工具，可提供半自動或自動配置以及可選的全覆蓋Gen2解決方案，以滿足大批量生產要求和制造標準。擁有操作員友好型軟件，蕞短的掩模和工具更換時間以及高/效的全球服務和支持，使它成為任何制造環(huán)境的理想解決方案。EVG100系列光刻膠處理系統(tǒng)為光刻膠涂層和顯影建立了質量和靈活性方面的新的標準。

集成化光刻系統(tǒng)HERCULES光刻量產軌道系統(tǒng)通過完全集成的生產系統(tǒng)和結合了掩模對準和曝光以及集成的預處理和后處理功能的高度自動化，完善了EVG光刻產品系列。HERCULES光刻軌道系統(tǒng)基于模塊化平臺，將EVG已建立的光學掩模對準技術與集成的清潔，光刻膠涂層，烘烤和光刻膠顯影模塊相結合。這使HERCULES平臺變成了“一站式服務”，在這里將經過預處理的晶圓裝載到工具中，然后返回完全結構化的經過處理的晶圓。目前可以預定的型號為：HERCULES。請訪問官網獲取更多的信息。了解客戶需求和有效的全球支持，這是我們提供優(yōu)先解決方案的重要基礎。甘肅傳感器光刻機

HERCULES光刻機系統(tǒng)：全自動光刻根蹤系統(tǒng)，模塊化設計，用于掩模和曝光，集成了預處理和后處理能力。甘肅傳感器光刻機

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結構的中間；用于LIGA結構的高縱橫比結構，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結構在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結果。甘肅傳感器光刻機