EVG®850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)解鍵合，清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過(guò)處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過(guò)薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來(lái)支撐設(shè)備晶圓。特征在有形和無(wú)形的情況下，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動(dòng)清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù)自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）高達(dá)300毫米高達(dá)12英寸的薄膜面積組態(tài)解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機(jī)選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 EVG晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過(guò)程是怎么樣的呢？EVG820鍵合機(jī)現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來(lái)的雜質(zhì)對(duì)于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。廣西優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。

GEMINI®FB特征：新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對(duì)準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對(duì)準(zhǔn)精度多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊，例如：清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過(guò)EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、300毫米蕞高處理模塊數(shù)：6+的SmartView®NT可選功能：解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專(zhuān)門(mén)為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的。 

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過(guò)程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過(guò)附加的機(jī)械支撐來(lái)處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到充分體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來(lái)一直由該公司提供。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。 針對(duì)高級(jí)封裝，MEMS，3D集成等不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)鍵合模塊。

EVG®301特征使用1MHz的超音速?lài)娮旎騾^(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過(guò)程選件帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速?lài)娮祛l率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：? 4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過(guò)遠(yuǎn)程通信的。EVG820鍵合機(jī)現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)

晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。EVG820鍵合機(jī)現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)

GEMINI ® FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專(zhuān)門(mén)為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的。EVG820鍵合機(jī)現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)