EVG620NT或完全容納的EVG620NTGen2掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)配備了集成的振動(dòng)隔離功能，可在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的曝光效果，例如，對(duì)薄而厚的光刻膠進(jìn)行曝光，對(duì)深腔進(jìn)行構(gòu)圖并形成可比的形貌，以及對(duì)薄而易碎的材料（例如化合物半導(dǎo)體）進(jìn)行加工。此外，半自動(dòng)和全自動(dòng)系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。EVG620NT特征：晶圓/基板尺寸從小到150mm/6''系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時(shí)間短帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償序列EVG光刻機(jī)的掩模對(duì)準(zhǔn)器和工藝能力經(jīng)過(guò)客戶現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證，安裝并集成在全球各地的用戶系統(tǒng)中。晶片光刻機(jī)高級(jí)封裝應(yīng)用

EVG®150光刻膠處理系統(tǒng)分配選項(xiàng)：各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達(dá)52000cP的粘度液體底漆/預(yù)濕/洗盤(pán)去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)電阻分配泵具有流量監(jiān)控功能可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸超音波附加模塊選項(xiàng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)/機(jī)械ID讀取器：條形碼，字母數(shù)字，數(shù)據(jù)矩陣系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個(gè)作業(yè)/實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR晶圓光刻機(jī)美元報(bào)價(jià)EVG150光刻膠處理系統(tǒng)擁有：Ergo裝載盒式工作站/ SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口。

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺(tái)（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開(kāi)口；在EVG的IQAlignerNT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑；負(fù)側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。

EVG6200NT附加功能：鍵對(duì)準(zhǔn)紅外對(duì)準(zhǔn)納米壓印光刻（NIL）EVG6200NT技術(shù)數(shù)據(jù)：曝光源汞光源/紫外線LED光源先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)/自動(dòng)邊緣對(duì)準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)偏移校正算法EVG6200NT產(chǎn)能：全自動(dòng)：弟一批生產(chǎn)量：每小時(shí)180片全自動(dòng)：吞吐量對(duì)準(zhǔn)：每小時(shí)140片晶圓晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)200毫米對(duì)準(zhǔn)方式：上側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±0.5μm底側(cè)對(duì)準(zhǔn)：≤±1,0μm紅外校準(zhǔn)：≤±2,0μm/具體取決于基板材料鍵對(duì)準(zhǔn)：≤±2,0μmNIL對(duì)準(zhǔn)：≤±3.0μm曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補(bǔ)償：全自動(dòng)軟件控制曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光系統(tǒng)控制操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除工業(yè)自動(dòng)化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理納米壓印光刻技術(shù)：SmartNILIQ Aligner光刻機(jī)支持的晶圓尺寸高達(dá)200 mm / 300 mm。

EVG®150特征：晶圓尺寸可達(dá)300毫米多達(dá)6個(gè)過(guò)程模塊可自定義的數(shù)量-多達(dá)20個(gè)烘烤/冷卻/汽化堆多達(dá)四個(gè)FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載可用的模塊包括旋轉(zhuǎn)涂層，噴涂，NanoCoat?，顯影，烘烤/冷卻/蒸氣/上等EV集團(tuán)專有的OmniSpray®超聲波霧化技術(shù)提供了無(wú)與倫BI的處理結(jié)果，當(dāng)涉及到極端地形的保形涂層可選的NanoSpray?模塊實(shí)現(xiàn)了300微米深圖案的保形涂層，長(zhǎng)寬比ZUI高為1:10，垂直側(cè)壁廣范的支持材料烘烤模塊溫度高達(dá)250°CMegasonic技術(shù)用于清潔，聲波化學(xué)處理和顯影，可提高處理效率并將處理時(shí)間從數(shù)小時(shí)縮短至數(shù)分鐘EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合和納米壓印光刻技術(shù)方面開(kāi)創(chuàng)并建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG620光刻機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

只有以客戶的需求為導(dǎo)向，研發(fā)才具有價(jià)值，也是我們不斷前進(jìn)的動(dòng)力。晶片光刻機(jī)高級(jí)封裝應(yīng)用

EVG®150光刻膠處理系統(tǒng)技術(shù)數(shù)據(jù)：模塊數(shù)：工藝模塊：6烘烤/冷卻模塊：蕞多20個(gè)工業(yè)自動(dòng)化功能：Ergo裝載盒式工作站/SMIF裝載端口/SECS/GEM/FOUP裝載端口智能過(guò)程控制和數(shù)據(jù)分析功能（框架軟件平臺(tái)）用于過(guò)程和機(jī)器控制的集成分析功能并行任務(wù)/排隊(duì)任務(wù)處理功能設(shè)備和過(guò)程性能根蹤功能智能處理功能事/故和警報(bào)分析/智能維護(hù)管理和根蹤晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)300毫米可用模塊：旋涂/OmniSpray®/開(kāi)發(fā)烘烤/冷卻晶圓處理選項(xiàng)：?jiǎn)?雙EE/邊緣處理/晶圓翻轉(zhuǎn)彎曲/翹曲/薄晶圓處理晶片光刻機(jī)高級(jí)封裝應(yīng)用