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接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品,結(jié)實(shí)耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射,對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層,ZUI大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面,直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm,總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達(dá)的區(qū)域,但不會(huì)自動(dòng)對準(zhǔn)表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭,配備微型直角反射鏡,用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁,不能自動(dòng)對準(zhǔn)表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡,可以在相隔10mm的兩個(gè)平坦表面之間進(jìn)行測量。膜厚儀是一種用于測量薄膜或涂層的厚度的儀器。湖北膜厚儀研發(fā)生產(chǎn)
樣品視頻包括硬件和照相機(jī)的F20系統(tǒng)視頻。視頻實(shí)時(shí)顯示精確測量點(diǎn)。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機(jī)包含改裝的sX探頭光學(xué)配件,但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺,具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺。能夠升級成電動(dòng)測繪與自動(dòng)對焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動(dòng)樣品平臺。可以進(jìn)行100mm高精度XY平移,包括自動(dòng)焦距調(diào)節(jié)。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡(15倍反射式物鏡)及X-Y平臺。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺及照明光纖. 需另選購物鏡. 通常使用顯微鏡內(nèi)建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺,包括光纖,和 F10-AR 一起使用。 波長范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺的透射測量可選件。包括光纖、平臺轉(zhuǎn)接器和平臺支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉(zhuǎn)平臺。湖北膜厚儀研發(fā)生產(chǎn)當(dāng)測量斑點(diǎn)只有1微米(μm)時(shí),需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個(gè)系統(tǒng)。
集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量,另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米,同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度
更可加裝至三個(gè)探頭,同時(shí)測量三個(gè)樣品,具紫外線區(qū)或標(biāo)準(zhǔn)波長可供選擇。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外,可提供*小5um光點(diǎn)(100倍放大倍數(shù))來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動(dòng)XY工作臺,由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通過快速掃瞄功能,可取得整片樣品厚度分布情況(mapping)。F70:瑾通過在F20基本平臺上增加鏡頭,使用Filmetrics*新的顏色編碼厚度測量法(CTM),把設(shè)備的測量范圍極大的拓展至。F10-RT:在F20實(shí)現(xiàn)反射率跟穿透率的同時(shí)測量,特殊光源設(shè)計(jì)特別適用于透明基底樣品的測量。PARTS:在垂直入射光源基礎(chǔ)上增加70o光源,特別適用于超薄膜層厚度和n、k值測量。**膜厚測量儀系統(tǒng)F20使用F20**分光計(jì)系統(tǒng)可以簡便快速的測量厚度和光學(xué)參數(shù)(n和k)。您可以在幾秒鐘內(nèi)通過薄膜上下面的反射比的頻譜分析得到厚度、折射率和消光系數(shù)。任何具備基本電腦技術(shù)的人都能在幾分鐘內(nèi)將整個(gè)桌面系統(tǒng)組裝起來。F20包括所有測量需要的部件:分光計(jì)、光源、光纖導(dǎo)線、鏡頭集和和Windows下運(yùn)行的軟件。您需要的只是接上您的電腦。膜層實(shí)例幾乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能測。包括:sio2(二氧化硅)sinx(氮化硅)dlc(類金剛石碳)photoresist。重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ;0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。
非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在,在兩級之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學(xué)常數(shù)(n和k)對不同沉積條件是獨(dú)特的,必須有精確的厚度測量。測量厚度時(shí)還必須考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風(fēng)化。Filmetrics設(shè)備提供的復(fù)雜的測量程序同時(shí)測量和輸出每個(gè)要求的硅薄膜參數(shù),并且“一鍵”出結(jié)果。測量范例多晶硅被廣范用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備的效率取決于薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性。隨著沉積和退火條件的改變,這些特性隨之改變,所以準(zhǔn)確地測量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間,加入二氧化硅層,以增加光學(xué)對比,其薄膜厚度和光學(xué)特性均可測得。F20可以很容易地測量多晶硅薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù),以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學(xué)模型被用來測量多晶硅薄膜光學(xué)特性。膜厚儀在材料科學(xué)、化學(xué)工程、電子工程等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用,用于質(zhì)量控制、研發(fā)和生產(chǎn)過程中的膜厚測量。湖北膜厚儀研發(fā)生產(chǎn)
幾乎任何形狀的樣品厚度和折射率的自動(dòng)測繪。人工加載或機(jī)器人加載均可。湖北膜厚儀研發(fā)生產(chǎn)
生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會(huì)用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕,而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、感然或者是排異反應(yīng)。 藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械,如血管成型球囊,具有獨(dú)力的隔膜,必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。測量范例:支架是塑料或金屬制成的插入血管防止收縮的小管。很多時(shí)候,這些支架用聚合物或藥物涂層處理,以提高功能和耐腐蝕。F40配上20倍物鏡(25微米光斑),我們能夠測量沿不銹鋼支架外徑這些涂層的厚度。這個(gè)功能強(qiáng)大的儀器提供醫(yī)療器械行業(yè)快速可靠,非破壞性,無需樣品準(zhǔn)備的厚度測量。湖北膜厚儀研發(fā)生產(chǎn)