完美的多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶,各種訪問權限,不同的用戶界面語言) 桌面系統(tǒng)設計,占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG®610BA鍵合機技術數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置桌面系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:2個卡帶站 可選:蕞多5個站晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學術界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合設備。低溫鍵合機現(xiàn)場服務
EVG鍵合機加工結果除支持晶圓級和先進封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(系統(tǒng))還可用于研發(fā),中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空,精確控制的準確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計,可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準(對位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優(yōu)勢。使用直接(實時)或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。EVG6200鍵合機原理EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴展了現(xiàn)有標準,并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準和涂敷精度。
晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應,形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉移,這樣可以輕松擴大生產(chǎn)量。 EVG鍵合機通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應用。低溫鍵合機現(xiàn)場服務
EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。低溫鍵合機現(xiàn)場服務
EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學,無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)低溫鍵合機現(xiàn)場服務