二、EVG501晶圓鍵合機特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機械和光學對準器兼容靈活的設計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級陽極鍵合開放式腔室設計，便于轉(zhuǎn)換和維護兼容試生產(chǎn)需求：同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本開放式腔室設計，便于轉(zhuǎn)換和維護蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容以上產(chǎn)品由岱美儀器供應并提供技術(shù)支持。 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機***方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機三維芯片應用

EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。以上的鍵合機由岱美儀器供應并提供技術(shù)支持。歡迎咨詢岱美了解更多 GEMINI鍵合機代理價格EVG鍵合機頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù)，實現(xiàn)無應力鍵合和出色的溫度均勻性。

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖形化，應力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 

EVG&reg;501鍵合機特征：獨特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機械和光學對準器；靈活的研究設計和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設計，易于轉(zhuǎn)換和維護；兼容試生產(chǎn)，適合于學校、研究所等；開室設計，易于轉(zhuǎn)換和維護；200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準：0.1毫巴可選：1E-5mbar 自動鍵合系統(tǒng)EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。

SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng)，用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng)，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在lingxian技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。甘肅鍵合機質(zhì)保期多久

EMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機三維芯片應用

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內(nèi)部設備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）。官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機三維芯片應用