EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途:自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查。因此,經(jīng)過實踐檢驗的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG鍵合機(jī)的特征有:壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。EVG6200鍵合機(jī)推薦型號
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。 中國澳門EVG鍵合機(jī)EVG的 GEMINI系列,在ZUI小占地面積上,一樣利用EVG ZUI高精度的Smart View NT對準(zhǔn)技術(shù)。
ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測量的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度,此對準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?!?nbsp;
Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器(面對面,背面,紅外和透明對準(zhǔn)) 無需Z軸運(yùn)動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊,然后再裝入鍵合室手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ® NT選件 可以與EVG組合® 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ® 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ®有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個紙盒站(蕞/大200毫米)或2個FOUP加載端口(300毫米)EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。
共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。 EVG鍵合機(jī)通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。寧夏本地鍵合機(jī)
晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501可以用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究。EVG6200鍵合機(jī)推薦型號
EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程支持全系列晶圓鍵合工藝對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計,注重用戶友好性,并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個流程步驟。多語言支持,單個用戶帳戶設(shè)置和集成錯誤記錄/報告和恢復(fù),可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此,我們的服務(wù)包括通過安全連接,電話或電子郵件,對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的,實時遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準(zhǔn)備為您提供支持,這得益于我們分布于全球的支持結(jié)構(gòu),包括三大洲的潔凈室空間:歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).EVG6200鍵合機(jī)推薦型號