ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái)，可以針對(duì)研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過(guò)其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合，都可以實(shí)現(xiàn)無(wú)空隙和無(wú)顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。根據(jù)鍵合機(jī)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。黑龍江優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)

EVG®501鍵合機(jī)特征：

獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器；

靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；

從單芯片到晶圓；

各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；

可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；

可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合；

開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；

兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；

開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；

200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；

程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。

EVG®501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力為20kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴

可選：1E-5mbar

黑龍江優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。

用晶圓級(jí)封裝制造的組件被***用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場(chǎng)對(duì)更小，更輕的電子設(shè)備的需求，這些電子設(shè)備可以以越來(lái)越復(fù)雜的方式使用。例如，除了簡(jiǎn)單的通話外，許多手機(jī)還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級(jí)封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，可植入醫(yī)療設(shè)備，***數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。

晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級(jí)產(chǎn)品中。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔**單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無(wú)需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。黑龍江優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)

EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。黑龍江優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）

無(wú)污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 黑龍江優(yōu)惠價(jià)格鍵合機(jī)