輪廓儀產(chǎn)品概述：  

NanoX-2000/3000

系列 3D 光學干涉輪廓儀建立在移相干涉測量（PSI）、白光垂直掃描干涉測量（VSI）和單色光

垂直掃描干涉測量（CSI）等技術的基礎上，以其納米級測量準確度和重復性（穩(wěn)定性）定量地反映出被測件的表面粗

糙度、表面輪廓、臺階高度、關鍵部位的尺寸及其形貌特征等。廣泛應用于集成電路制造、MEMS、航空航天、精密加

工、表面工程技術、材料、太陽能電池技術等領域。

想要了解更多的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器。 LED光源通過多***盤（MPD）和物鏡聚焦到樣品表面上，從而反射光。實驗室輪廓儀技術服務

表面三維微觀形貌測量的意義

 在生產(chǎn)中，表面三維微觀形貌對工程零件的許多技術性能的評家具有**直接的影響，而且表面三維評定參數(shù)由于能更***，更真實的反應零件表面的特征及衡量表面的質(zhì)量而越來越受到重視，因此表面三維微觀形貌的測量就越顯重要。通過兌三維形貌的測量可以比較***的評定表面質(zhì)量的優(yōu)劣，進而確認加工方法的好壞以及設計要求的合理性，這樣就可以反過來通過知道加工，優(yōu)化加工工藝以及加工出高質(zhì)量的表面，確保零件使用功能的實現(xiàn)。

 表面三位微觀形貌的此類昂方法非常豐富，通?？煞譃榻佑|時和非接觸時兩種，其中以非接觸式測量方法為主。

江蘇輪廓儀技術原理輪廓儀可用于高精密材料表面缺 陷超精密表面缺 陷分析，核探測。

輪廓儀是一種兩坐標測量儀器，儀器傳感器相對被測工件表而作勻速滑行，傳感器的觸針感受到被測表而的幾何變化，在X和Z方向分別采樣，并轉換成電信號，該電信號經(jīng)放大和處理，再轉換成數(shù)字信號儲存在計算機系統(tǒng)的存儲器中，計算機對原始表而輪廓進行數(shù)字濾波，分離掉表而粗糙度成分后再進行計算，測量結果為計算出的符介某種曲線的實際值及其離基準點的坐標，或放大的實際輪廓曲線，測量結果通過顯示器輸出，也可由打印機輸出。（來自網(wǎng)絡）

輪廓儀在集成電路的應用：

封**ump測量  

視場：72*96（um）物鏡：干涉50X 檢測位置：樣品局部

面減薄表面粗糙度分析

封裝：300mm硅片背面減薄表面粗糙度分析  面粗糙度分析：2D, 3D顯示；線粗糙度分析：Ra, Ry，Rz，…

器件多層結構臺階高  MEMS 器件多層結構分析、工藝控制參數(shù)分析

激光隱形切割工藝控制  世界***的能夠?qū)崿F(xiàn)激光槽寬度、深度自動識別和數(shù)據(jù)自動生成，**地縮

短了激光槽工藝在線檢測的時間，避免人工操作帶來的一致性，可靠性問題

輪廓儀產(chǎn)品應用

藍寶石拋光工藝表面粗糙度分析（粗拋與精拋比較）

高精密材料表面缺 陷超精密表面缺 陷分析，核探測

Oled 特征結構測量，表面粗糙度  

外延片表面缺 陷檢測

硅片外延表面缺 陷檢測

散熱材料表面粗糙度分析（粗糙度控制）

生物、醫(yī)藥新技術，微流控器件

微結構均勻性 缺 陷，表面粗糙度

移相算法的優(yōu)化和軟件系統(tǒng)的開發(fā) 本作品采用重疊平均移相干涉算法，保證了亞納米量級的測量精度；優(yōu)化軟件控制系統(tǒng)，使每次檢測時間壓縮到10秒鐘以內(nèi)，同時完善的數(shù)據(jù)評價系統(tǒng)為用戶評價產(chǎn)品面形質(zhì)量提供了方便。 表面三位微觀形貌的此類昂方法非常豐富，通常可分為接觸時和非接觸時兩種，其中以非接觸式測量方法為主。

輪廓儀的技術原理

被測表面(光)與參考面(光)之間的光程差（高度差）形成干涉

移相法(PSI)  高度和干涉相位

f = (2p/l ) 2 h

形貌高度: < 120nm

精度: < 1nm

RMS重復性: 0.01nm

垂直掃描法

(VSI+CSI)  

精度： ?/1000   干涉信號~光程差位置

形貌高度: nm-mm,

精度: >2nm

干涉測量技術：快速靈活、超納米精度、測量精度不受物鏡倍率影響

以下來自網(wǎng)絡：

輪廓儀，能描繪工件表面波度與粗糙度，并給出其數(shù)值的儀器，采用精密氣浮導軌為直線基準。輪廓測試儀是對物體的輪廓、二維尺寸、二維位移進行測試與檢驗的儀器，作為精密測量儀器在汽車制造和鐵路行業(yè)的應用十分***。

晶圓的IC制造過程可簡單看作是將光罩上的電路圖通過UV刻蝕到鍍膜和感光層后的硅晶圓上這一過程。實驗室輪廓儀技術服務

輪廓儀對載物臺xy行程為140*110mm（可擴展），Z向測量范圍比較大可達10mm。實驗室輪廓儀技術服務

    比較橢圓偏振儀和光譜反射儀光譜橢圓偏振儀(SE)和光譜反射儀(SR)都是利用分析反射光確定電介質(zhì)，半導體，和金屬薄膜的厚度和折射率。兩者的主要區(qū)別在于橢偏儀測量小角度從薄膜反射的光,而光譜反射儀測量從薄膜垂直反射的光。獲取反射光譜指南入射光角度的不同造成兩種技術在成本，復雜度，和測量能力上的不同。由于橢偏儀的光從一個角度入射，所以一定要分析反射光的偏振和強度，使得橢偏儀對超薄和復雜的薄膜堆有較強的測量能力。然而，偏振分析意味著需要昂貴的精密移動光學儀器。光譜反射儀測量的是垂直光，它忽略偏振效應（絕大多數(shù)薄膜都是旋轉對稱）。因為不涉及任何移動設備，光譜反射儀成為簡單低成本的儀器。光譜反射儀可以很容易整合加入更強大透光率分析。從下面表格可以看出,光譜反射儀通常是薄膜厚度超過10um的優(yōu)先，而橢偏儀側重薄于10nm的膜厚。在10nm到10um厚度之間，兩種技術都可用。而且具有快速，簡便，成本低特點的光譜反射儀通常是更好的選擇。光譜反射率光譜橢圓偏振儀厚度測量范圍1nm-1mm(非金屬)-50nm(金屬)*-(非金屬)-50nm(金屬)測量折射率的厚度要求>20nm(非金屬)5nm-50nm(金屬)>5nm(非金屬)>。實驗室輪廓儀技術服務