表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對(duì)于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)。內(nèi)蒙古美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 浙江EV Group鍵合機(jī)EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。

EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)

用途：自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒

EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。

特征

多達(dá)四個(gè)清潔站

全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理

可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選）

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程

 Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說：“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對(duì)齊（對(duì)準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的質(zhì)量服務(wù)對(duì)于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要。”

      EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?！?

      該公告標(biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投 資上的另一個(gè)重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。 EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

鍵合機(jī)特征 高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè)，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米根據(jù)鍵合機(jī)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。ComBond鍵合機(jī)現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)

EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。內(nèi)蒙古美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對(duì)其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。

      不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過程都可以完全自動(dòng)化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。 內(nèi)蒙古美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)