EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統,可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產)工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉移,這樣可以輕松擴大生產量。EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。美元報價鍵合機芯片堆疊應用
該技術用于封裝敏感的電子組件,以保護它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統(MEMS)行業(yè)相關聯,在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是,它可以產生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。
而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點擊:鍵合機。 美元報價鍵合機芯片堆疊應用EVG鍵合機提供的加工服務。
晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。
集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。
EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置,用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設計,易于轉換和維護 生產兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計,可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準:0.1毫巴 可選:1E-5mbarEVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法,包括陽極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹脂,UV和熔融鍵合。
EVG®501鍵合機特征:
獨特的壓力和溫度均勻性;
兼容EVG機械和光學對準器;
靈活的研究設計和配置;
從單芯片到晶圓;
各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);
可選的渦輪泵(<1E-5mbar);
可升級用于陽極鍵合;
開室設計,易于轉換和維護;
兼容試生產,適合于學校、研究所等;
開室設計,易于轉換和維護;
200mm鍵合系統的蕞小占地面積:0.8平方米;
程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容。
EVG®501鍵合機技術數據
蕞大接觸力為20kN
加熱器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸單芯片100毫米
真空
標準:0.1毫巴
可選:1E-5mbar
同時,EVG研發(fā)生產的的GEMINI系統是使用晶圓鍵合的量產應用的行業(yè)標準。美元報價鍵合機芯片堆疊應用
EVG鍵合機的特征有:壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。美元報價鍵合機芯片堆疊應用
鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,以執(zhí)行隨后的鍵合過程??梢允褂眠m合每個通用鍵合室的專用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機特征 ■基底高達200mm ■壓力高達100kN ■溫度高達550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選:陽極,UV固化,650℃加熱器 EVG鍵合機加工服務 EVG設備的晶圓加工服務包含如下: ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導體的導電鍵合 ■高真空對準鍵合 ■臨時鍵合和熱、機械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合美元報價鍵合機芯片堆疊應用