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海南光刻機(jī)推薦產(chǎn)品

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-18

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù):可用模塊:旋涂/OmniSpray®/開(kāi)發(fā)分配選項(xiàng):各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達(dá)52000cP的粘度;液體底漆/預(yù)濕/洗盤(pán);去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR);恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)。智能過(guò)程控制和數(shù)據(jù)分析功能(框架軟件平臺(tái))用于過(guò)程和機(jī)器控制的集成分析功能并行任務(wù)/排隊(duì)任務(wù)處理功能,提高效率設(shè)備和過(guò)程性能跟宗功能:智能處理功能;事/故和警報(bào)分析/智能維護(hù)管理和跟宗晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)300毫米EVG的大批量制造系統(tǒng)目的是在以最/佳的成本效率與最/高的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相結(jié)合,為全球服務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施提供支持。海南光刻機(jī)推薦產(chǎn)品

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EVG增強(qiáng)對(duì)準(zhǔn):全電動(dòng)頂部和底部分離場(chǎng)顯微鏡支持實(shí)時(shí),大間隙,晶圓平面或紅外對(duì)準(zhǔn),在可編程位置自動(dòng)定位。確保*好圖形對(duì)比度,并對(duì)明場(chǎng)和暗場(chǎng)照明進(jìn)行程序控制。先進(jìn)的模式識(shí)別算法,自動(dòng)原點(diǎn)功能,合成對(duì)準(zhǔn)鍵模式導(dǎo)入和培訓(xùn)可確保高度可重復(fù)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果。曝光光學(xué):提供不同配置的曝光光學(xué)系統(tǒng),旨在實(shí)現(xiàn)任何應(yīng)用的*大靈活性。汞燈曝光光學(xué)系統(tǒng)針對(duì)150,200和300 mm基片進(jìn)行了優(yōu)化,可與各種濾光片一起用于窄帶曝光要求,例如i-,g-和h-線(xiàn)濾光片,甚至還有深紫外線(xiàn)。安徽光刻機(jī)售后服務(wù)EVG同樣為客戶(hù)提供量產(chǎn)型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。

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EVG770自動(dòng)UV-NIL納米壓印步進(jìn)機(jī),用于制作主圖章。母模是晶圓大小的模板,里面完全裝有微透鏡模具,每個(gè)模具都采用分步重復(fù)的方法從一個(gè)透鏡模板中復(fù)制。EVG從金屬或玻璃制成的單鏡頭母版開(kāi)始,提供了涵蓋了制作母模的所有基本工藝步驟的工藝流程,具有****的鏡片位置精度和**鏡片制造所需的高鏡片形狀可重復(fù)性晶圓級(jí)相機(jī)模塊。

IQ Aligner自動(dòng)UV-NIL納米壓印系統(tǒng),用于UV微透鏡成型。軟UV壓印光刻技術(shù)是用于制造聚合物微透鏡(WLO系統(tǒng)的關(guān)鍵要素)的高度并行技術(shù)。EVG從晶圓尺寸的主圖章復(fù)制的軟性圖章開(kāi)始,提供了混合和整體式微透鏡成型工藝,可以輕松地將其應(yīng)用于工作圖章和微透鏡材料的各種材料組合。此外,EV Group提供合格的微透鏡成型工藝,包括所有相關(guān)的材料專(zhuān)業(yè)知識(shí)。

EVG40 NT自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)。支持非常高的分辨率和精度的垂直和橫向測(cè)量,計(jì)量對(duì)于驗(yàn)證是否符合嚴(yán)格的工藝規(guī)范并立即優(yōu)化集成的工藝參數(shù)至關(guān)重要。在WLO制造中,EVG的度量衡解決方案可用于關(guān)鍵尺寸(CD)測(cè)量和透鏡疊層對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證,以及許多其他應(yīng)用。

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂層平臺(tái)(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝:在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開(kāi)口;在EVG的IQAlignerNT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑;負(fù)側(cè)壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間;用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu),用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果;西門(mén)子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。EVG在1985年發(fā)明了世界上第/一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),可以在頂部和雙面光刻。

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IQAligner®■晶圓規(guī)格高達(dá)200mm/300mm■某一時(shí)間內(nèi)(弟一次印刷/對(duì)準(zhǔn))>90wph/80wph■頂/底部對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±0.5μm/±1.0μm■接近過(guò)程100/%無(wú)觸點(diǎn)■可選Ergoload磁盤(pán),SMIF或者FOUP■經(jīng)準(zhǔn)的跳動(dòng)補(bǔ)償,實(shí)現(xiàn)蕞佳的重疊對(duì)準(zhǔn)■手動(dòng)裝載晶圓的功能■IR對(duì)準(zhǔn)能力–透射或者反射IQAligner®NT■零輔助橋接工具-雙基片,支持200mm和300mm規(guī)格■無(wú)以倫比的吞吐量(弟一次印刷/對(duì)準(zhǔn))>200wph/160wph■頂/底部對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±250nm/±500nm■接近過(guò)程100/%無(wú)觸點(diǎn)■暗場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)能力/全場(chǎng)青除掩模(FCMM)■經(jīng)準(zhǔn)的跳動(dòng)補(bǔ)償,實(shí)現(xiàn)蕞佳的重疊對(duì)準(zhǔn)■智能過(guò)程控制和性能分析框架軟件平臺(tái)EVG100系列光刻膠處理系統(tǒng)為光刻膠涂層和顯影建立了質(zhì)量和靈活性方面的新的標(biāo)準(zhǔn)。EVG620 NT光刻機(jī)質(zhì)量怎么樣

可以使用用于壓印光刻的工具,例如紫外光納米壓印光刻,熱壓印或微接觸印刷。海南光刻機(jī)推薦產(chǎn)品

集成化光刻系統(tǒng)HERCULES光刻量產(chǎn)軌道系統(tǒng)通過(guò)完全集成的生產(chǎn)系統(tǒng)和結(jié)合了掩模對(duì)準(zhǔn)和曝光以及集成的預(yù)處理和后處理功能的高度自動(dòng)化,完善了EVG光刻產(chǎn)品系列。HERCULES光刻軌道系統(tǒng)基于模塊化平臺(tái),將EVG已建立的光學(xué)掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)與集成的清潔,光刻膠涂層,烘烤和光刻膠顯影模塊相結(jié)合。這使HERCULES平臺(tái)變成了“一站式服務(wù)”,在這里將經(jīng)過(guò)預(yù)處理的晶圓裝載到工具中,然后返回完全結(jié)構(gòu)化的經(jīng)過(guò)處理的晶圓。目前可以預(yù)定的型號(hào)為:HERCULES。請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官網(wǎng)獲取更多的信息。海南光刻機(jī)推薦產(chǎn)品

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光刻機(jī)(Mask Aligner)是制造微機(jī)電、光電、二極體大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵設(shè)備。其分為兩種,一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner,曝光時(shí)模板緊貼晶圓;另一種是利用類(lèi)似投影機(jī)原理的stepper,獲得比模板更小的曝光圖樣。**光刻機(jī)被稱(chēng)為“現(xiàn)代光學(xué)工業(yè)之花”,制造難度很大,全世界只有少數(shù)幾家公司能制造。