EVG®770特征：微透鏡用于晶片級(jí)光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL®簡(jiǎn)單實(shí)施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實(shí)時(shí)圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補(bǔ)償可選的自動(dòng)盒帶間處理EVG®770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線）>100mW/cm2對(duì)準(zhǔn)：頂側(cè)顯微鏡，用于實(shí)時(shí)重疊校準(zhǔn)≤±500nm和精細(xì)校準(zhǔn)≤±300nm手個(gè)印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區(qū)域：長(zhǎng)達(dá)50x50毫米自動(dòng)分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。SmartNIL 非常適合對(duì)具有復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)微流控芯片進(jìn)行高精度圖案化，用在下一代藥 物研究和醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備生產(chǎn)。奧地利納米壓印當(dāng)?shù)貎r(jià)格

EVGROUP®|產(chǎn)品/納米壓印光刻解決方案

納米壓印光刻的介紹：

EV Group是納米壓印光刻（NIL）的市場(chǎng)**設(shè)備供應(yīng)商。EVG開拓了這種非常規(guī)光刻技術(shù)多年，掌握了NIL并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。EVG的專有SmartNIL技術(shù)通過多年的研究，開發(fā)和現(xiàn)場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了優(yōu)化，以解決常規(guī)光刻無法滿足的納米圖案要求。SmartNIL可提供低至40 nm的出色保形壓印結(jié)果。岱美作為EVG在中國(guó)區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關(guān)知識(shí)。我們?cè)敢馀c您共同進(jìn)步。

光刻納米壓印三維芯片應(yīng)用步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻可以從比較大50 mm x 50 mm的小模具到比較大300 mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。

EVG®610紫外線納米壓印光刻系統(tǒng)具有紫外線納米壓印功能的通用研發(fā)掩膜對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，從碎片到蕞大150毫米。該工具支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，并且可以選擇背面對(duì)準(zhǔn)。此外，該系統(tǒng)還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，以改變用戶需求，光刻和NIL之間的轉(zhuǎn)換時(shí)間瑾為幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念可以適應(yīng)從初學(xué)者到**級(jí)別的所有需求，因此使其成為大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用程序的理想選擇。

EVG ® 510 HE熱壓印系統(tǒng)

應(yīng)用：高度靈活的熱壓印系統(tǒng)，用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)

EVG510 HE半自動(dòng)熱壓印系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于對(duì)熱塑性基材進(jìn)行高精度壓印。該設(shè)備配置有通用壓花室以及真空和接觸力功能，并管理適用于熱壓印的全部聚合物。結(jié)合高縱橫比壓印和多種脫壓選項(xiàng)，提供了許多用于高質(zhì)量納米圖案轉(zhuǎn)印的工藝。

EVG ® 510 HE特征：

用于聚合物基材和旋涂聚合物的熱壓印應(yīng)用

自動(dòng)化壓花工藝

EVG專有的**對(duì)準(zhǔn)工藝，用于光學(xué)對(duì)準(zhǔn)的壓印和壓印

完全由軟件控制的流程執(zhí)行

閉環(huán)冷卻水供應(yīng)選項(xiàng)

外部浮雕和冷卻站 岱美儀器代理的SmartNIL是一項(xiàng)關(guān)鍵的啟用技術(shù)，可用于顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中的許多新創(chuàng)新。

    具體說來就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動(dòng)，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負(fù)的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時(shí)會(huì)泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個(gè)典型MOSFET不同層級(jí)的剖面圖。不過威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個(gè)合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。（來自網(wǎng)絡(luò)。納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級(jí)和納米級(jí)結(jié)構(gòu)的低成本的技術(shù)，大批量替代光刻技術(shù)。奧地利納米壓印當(dāng)?shù)貎r(jià)格

EVG?720/EVG?7200/EVG?7200LA是自動(dòng)化的全場(chǎng)域納米壓印解決方案，適用于第3代基材。奧地利納米壓印當(dāng)?shù)貎r(jià)格

儀器儀表行業(yè)本身是一個(gè)加入，產(chǎn)出周期較長(zhǎng)的行業(yè)，所以作為業(yè)內(nèi)廠家，一方面要尋找中、短期市場(chǎng)熱點(diǎn)，另一方面也要在產(chǎn)品、技術(shù)研發(fā)方面有長(zhǎng)遠(yuǎn)的規(guī)劃;儀器儀表在工業(yè)生產(chǎn)過程中扮演著重要的角色，用到各種各樣的儀器儀表，如半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x等為工業(yè)的檢驗(yàn)、測(cè)量和計(jì)量提供技術(shù)支撐。目前我國(guó)磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測(cè)試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國(guó)際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù) 產(chǎn)品，主要集中在中低檔市場(chǎng)，而市場(chǎng)則主要被國(guó)外品牌所占據(jù)。在某些領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品甚至是空白，這就需要未來我國(guó)儀器儀表向市場(chǎng)進(jìn)軍，擴(kuò)大產(chǎn)品占比。儀器儀表在工業(yè)發(fā)展中具有重要作用，這也使得儀器儀表得到快讀發(fā)展。各行各業(yè)對(duì)儀器儀表的市場(chǎng)需求也在不斷提升，貿(mào)易企業(yè)正在發(fā)展中尋求技術(shù)創(chuàng)新和質(zhì)量提升。儀器儀表的質(zhì)量、性能關(guān)系到工業(yè)安全，必須重視。奧地利納米壓印當(dāng)?shù)貎r(jià)格