陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法，***用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓。

      可以使用陽(yáng)極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）。 EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng)，鍵合方法一般分類頁(yè)是有或沒有夾層的鍵合操作。半導(dǎo)體設(shè)備鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎

EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)

用途：自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒

EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。

特征

多達(dá)四個(gè)清潔站

全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理

可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選）

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過(guò)程 半導(dǎo)體設(shè)備鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層，晶圓級(jí)封裝，工程襯**造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái)，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過(guò)處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過(guò)薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來(lái)支撐設(shè)備晶圓。 特征 在有形和無(wú)形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

200、100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

可選的

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石

刷的參數(shù)：

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）

自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)

掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320，使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作，達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。

可選功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的duli溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。半導(dǎo)體設(shè)備鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎

EVG服務(wù)：高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。半導(dǎo)體設(shè)備鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎

EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 半導(dǎo)體設(shè)備鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎