什么是負(fù)離子,沃壹小編給大家分析一下
負(fù)離子室內(nèi)呼吸健唐解決方案燃爆國際綠色建博覽會(huì)
【負(fù)離子科普二】自然界中的負(fù)離子從哪里來的?
多地呼吸道ganran高發(fā),門診爆滿,秋冬呼吸道疾病高發(fā)期的易踩誤區(qū)
負(fù)離子發(fā)生器的原理是什么呢?
負(fù)離子到底是什么,一般涉及到的行業(yè)、產(chǎn)品有哪些?
負(fù)離子空氣凈化器去除PM2.5
關(guān)于負(fù)離子的常見十問
運(yùn)動(dòng),需要選對(duì)時(shí)間和地點(diǎn)
負(fù)離子給我們生活帶來的好處-空氣凈化負(fù)離子發(fā)生器制造商
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:±3.3VMax
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.2pFtyp
低漏電流
低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM2030-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-723。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR
WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu),無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流,以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。
特性:
· 可編程充電電流高達(dá)600mA
· 過溫保護(hù)
· 欠壓鎖定保護(hù)
· 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V
· 充電狀態(tài)輸出引腳
· 2.9V涓流充電閾值
· 軟啟動(dòng)限制浪涌電流
應(yīng)用:
· 無線電話
· MP3/MP4播放器
· 藍(lán)牙設(shè)備
WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計(jì),降低了成本。其熱反饋機(jī)制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V,電流可編程,至高600mA,適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時(shí),自動(dòng)進(jìn)入低電流和關(guān)機(jī)模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D12ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-563。
ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求,請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。
WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。
產(chǎn)品特性:
· 槽型技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器
· DC-DC轉(zhuǎn)換器
· 電路電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)充電
WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥還是電機(jī),或是為LED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。
WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。
主要特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計(jì)
· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)
· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路
· 電源開關(guān)
· 負(fù)載開關(guān)
· 充電電路
WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí),極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM2021-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPT2E33
ESD9X7V-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 封裝:FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR
ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力影響。
包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。
采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
1、截止電壓:5V
2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低電容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏電流:IR<1nAtyp.
7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR
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