BL1551B是一款模擬開關，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關。這種開關特別適用于數據和音頻信號的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢：

高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應用的需求。

低導通電阻：在5V工作電壓下，其導通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關過程中的損失，保證信號的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關處于關閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設計者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實現緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中，BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關，并提供樣品供您測試，如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 ESD54031Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63124D

    WS3222是一款具有可調OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應時間：450ns（典型值）

· 可調OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應用：

· 手機和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT（機頂盒、互聯網電視）

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設

    WS3222是專為現代便攜設備設計的靈活高效過壓保護開關。其特色在于可調OVLO閾值，為不同應用提供定制化保護。超快450納秒OVP響應時間確保負載在瞬間過壓下得到保護。低導通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性。緊湊封裝適合空間受限應用，符合環(huán)保標準。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7040DTFN0-8/TRESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產品特點：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV

· 靜態(tài)電流：典型值為70μA

· 關斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應用領域：

· MP3/MP4播放器

· 手機和無線電話

· 數碼相機

· 藍牙和無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點，為現代便攜式設備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

    ESD5431Z-2/TR：電子設備的瞬態(tài)電壓守護神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制，確保在數據線和控制線受到過應力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護能力，根據IEC61000-4-2標準，它能承受高達±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護電路，能夠承受高達40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集成更為便捷，同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環(huán)保要求。

    無論是手機、計算機還是微處理器，它都能為這些設備提供堅實的電壓保護，確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。應用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費電子領域等。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63124D

WL2836D28-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63124D

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63124D

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