ESD5311N：?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過(guò)度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無(wú)鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應(yīng)用領(lǐng)域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設(shè)備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)應(yīng)用。如有進(jìn)一步問(wèn)題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WMM7037AT2-4/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥）封裝：LGA-4(3x3.8)。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WD3103C

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開(kāi)關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專(zhuān)為在手持設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號(hào)而設(shè)計(jì)，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個(gè)開(kāi)關(guān)都是雙向的，對(duì)高速信號(hào)的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(hào)（480Mbps）并保持信號(hào)完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設(shè)計(jì)，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無(wú)論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開(kāi)啟。

SEL/OE引腳具有過(guò)壓保護(hù)，允許電壓高于VCC，高達(dá)7.0V存在于引腳上，而不會(huì)損壞或中斷部件的操作，無(wú)論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話(huà)說(shuō)，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)設(shè)備）

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專(zhuān)為高速USB2.0設(shè)計(jì)的穩(wěn)定、高效CMOS開(kāi)關(guān)，適用于手持和消費(fèi)電子產(chǎn)品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨(dú)特電路和過(guò)壓保護(hù)增強(qiáng)其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請(qǐng)查數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNM02143DNWS72551E-5/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOT-23-5L。

WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專(zhuān)為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WNM2021：?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專(zhuān)為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計(jì)。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風(fēng)險(xiǎn)。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn)，為這些設(shè)備提供了可靠的防護(hù)。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時(shí)迅速響應(yīng)，將電壓限制在安全范圍內(nèi)，從而保護(hù)電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計(jì)使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品等。無(wú)論是對(duì)于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費(fèi)應(yīng)用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。 

      安美斯科技作為專(zhuān)業(yè)的電子元器件代理分銷(xiāo)商，致力于為客戶(hù)提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需了解更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 WD3133E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WL2866D

SPD8811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管（TSS） 封裝：SMB。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WD3103C

    WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無(wú)需外部感測(cè)電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過(guò)一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達(dá)600mA

· 過(guò)溫保護(hù)

· 欠壓鎖定保護(hù)

· 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動(dòng)限制浪涌電流

應(yīng)用：

· 無(wú)線電話(huà)

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，降低了成本。其熱反饋機(jī)制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入低電流和關(guān)機(jī)模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WD3103C

深圳安美斯科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳安美斯科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿(mǎn)的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！