WS3222是一款具有可調(diào)OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負(fù)載開關(guān)。當(dāng)輸入電壓超過閾值時，該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負(fù)載。當(dāng)OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調(diào)整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且無鹵素。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導(dǎo)通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應(yīng)時間：450ns（典型值）

· 可調(diào)OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應(yīng)用：

· 手機和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT（機頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視）

· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設(shè)

    WS3222是專為現(xiàn)代便攜設(shè)備設(shè)計的靈活高效過壓保護開關(guān)。其特色在于可調(diào)OVLO閾值，為不同應(yīng)用提供定制化保護。超快450納秒OVP響應(yīng)時間確保負(fù)載在瞬間過壓下得到保護。低導(dǎo)通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性。緊湊封裝適合空間受限應(yīng)用，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD1035DH-8/TR DC-DC電源芯片 封裝：DFN-8-EP(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9108W

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù)：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應(yīng)用：

· 計算機及其外設(shè)：如鍵盤、鼠標(biāo)、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設(shè)備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS3221C68ESD54151N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關(guān) 封裝：WDFN-8(2x2)。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· 手機

· 計算機和外設(shè)：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應(yīng)用于手機、計算機和便攜式設(shè)備，確保設(shè)備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54231N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3065

WL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9108W

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應(yīng)用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機、PDA、數(shù)碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān)，專為移動設(shè)備設(shè)計，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9108W