ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數據接口設計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產品特性：

反向截止電壓：5V

根據IEC61000-4-2標準，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

根據IEC61000-4-5標準，可承受高達6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術

應用領域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產品

筆記本電腦

關于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD5344D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3017A

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅動器

產品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅動器。其內部MOSFET可以驅動高達10個串聯的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調制（PWM）信號應用于EN引腳以實現LED調光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉換效率，并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性：

輸入電壓范圍：2.7~5.5V

開路LED保護：38V（典型值）

參考電壓：200mV（±5%）

開關頻率：1MHz（典型值）

效率：高達92%

主開關電流限制：1.2A（典型值）

PWM調光頻率：5KHz至200KHzPWM

調光占空比：0.5%~100%

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

    WD3139是一款專為串聯白色LED設計的高效驅動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護，確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調光，1MHz開關頻率提升轉換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機、平板等便攜設備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保，是理想選擇。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPMD2013WNM2046E-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：DFN-3L(1x0.6)。

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網絡應用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應用領域

LCD電視

機頂盒（STB）

計算機和圖形卡

網絡通信設備

其他便攜式電子設備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產品和網絡應用，輸出電壓準確穩(wěn)定。具備過熱保護和限流功能，增強可靠性。您如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設計。在現代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸的準確性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫(yī)療設備和消費電子產品等。無論是對于工業(yè)應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護，確保設備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優(yōu)異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯系我們。 SPD8811B-2/TR 半導體放電管（TSS） 封裝：SMB。

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS72552S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR

WS74199B-6/TR 電流感應放大器 封裝：SOT-363。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3017A

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 槽型技術

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換器

· 電路電源開關

· 負載開關充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3017A