WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術和設計,具有出色的RDS(ON)(導通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應用中表現(xiàn)出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。
WPM2015xx的主要特點包括:
1:穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻,這有助于在電子設備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。
2:適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用,這些應用需要精確控制電流和電壓。
3:采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。
4:具有超高密度電池設計,適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。
5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。
在實際應用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓,WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié),從而實現(xiàn)對電機等設備的控制。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開關 封裝:TSOT-25。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D
WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。
WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管,專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號,進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器,其中高效率的電源開關是至關重要的。
此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產(chǎn)品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性??傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ABRL0-4/TRWL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。
ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。
ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。
其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。
應用領域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設備,筆記本電腦。
ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。
ESD56151Wxx:電源保護新選擇
ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準,為電路提供強大的浪涌保護,同時遵循IEC61000-4-2標準,提供±30kV的ESD保護。
ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計,能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。
這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景,如便攜式電子設備、通信設備、醫(yī)療設備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口,提高設備穩(wěn)定性和可靠性,延長使用壽命,降低維修和更換成本。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-323。
WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關
產(chǎn)品描述
WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4612還集成了反向保護功能,當設備關閉時,可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性
· 輸入電壓范圍:2.5-5.5V
· 主開關RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 電流限制精度:±15%
· 調(diào)整電流限制范圍:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升時間:600μS
· 靜態(tài)供電電流:26μA
· 欠壓鎖定
· 自動放電
· 反向阻斷(無“體二極管”)
· 過溫保護
應用領域
· USB外設
· USB Dongle
· USB 3G數(shù)據(jù)卡
· 3.3V或5V電源開關
· 3.3V或5V電源分配
WS4612是功能豐富的電源分配開關,專為現(xiàn)代電子設備電源管理和保護設計。極低導通電阻和集成電流限制功能,應對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設、數(shù)據(jù)卡和電源分配,確保設備穩(wěn)定運行。緊湊封裝,環(huán)保無鉛無鹵素設計,易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:WBFBP-02C-C。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4672D
ESD54151N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D
WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關,可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設計,如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標準兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個開關都是雙向的,對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(480Mbps)并保持信號完整性。
特性:
D+/D-上的特殊電路設計,使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無論USB設備是關閉還是開啟。
SEL/OE引腳具有過壓保護,允許電壓高于VCC,高達7.0V存在于引腳上,而不會損壞或中斷部件的操作,無論工作電壓如何。
還具有智能電路,用于至小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說,在實際應用中,無需額外設備將SEL/OE電平與VCC電平相同。
應用:
· 手機
· MID(移動設備)
· 路由器
· 其他電子設備
WAS7227Q是專為高速USB2.0設計的穩(wěn)定、高效CMOS開關,適用于手持和消費電子產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性,環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5344D