WS3202E：過壓和過流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述：

WS3202E是一款集過壓保護(hù)（OVP）和過流保護(hù)（OCP）功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時，該設(shè)備會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護(hù)負(fù)載。此外，過溫保護(hù)（OTP）功能會監(jiān)控芯片溫度，確保設(shè)備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產(chǎn)品特性：

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應(yīng)時間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域：

· GPS設(shè)備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· PAD（平板電腦）

· 數(shù)碼相機(jī)

· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)

     WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過壓和過流保護(hù)IC，為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72552M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3202E

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護(hù)：±10kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM01125EWS74199Q-10/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝：WQFN-10(1.4x1.8)。

    ESD5431Z-2/TR：電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計。其獨特的雙向保護(hù)機(jī)制，確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力，根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路，能夠承受高達(dá)40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計使得集成更為便捷，同時無鉛和不含鹵素的標(biāo)準(zhǔn)也符合環(huán)保要求。

    無論是手機(jī)、計算機(jī)還是微處理器，它都能為這些設(shè)備提供堅實的電壓保護(hù)，確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。應(yīng)用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費電子領(lǐng)域等。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù)：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應(yīng)用：

· 計算機(jī)及其外設(shè)：如鍵盤、鼠標(biāo)、顯示器等。

· 手機(jī)

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計。其優(yōu)異的保護(hù)能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無論是計算機(jī)、手機(jī)還是便攜式電子設(shè)備，ES9DN12BA都能提供強(qiáng)大的保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5411N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用：

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)，驅(qū)動繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD56201D10-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4735Q

ESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3202E

  WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS3202E