ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器（MLV），適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標準產品為無鉛、無鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數據接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS742904WAS7227Q-10/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：WQFN-10(1.4x1.8)。

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯(lián)系我們。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關 封裝：WDFN-8(2x2)。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應放大器 封裝：SOT-363。代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7027ABHN0-4/TR

RB521S30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D

    WD3168：5V/300mA開關電容電壓轉換器，它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下，它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時，WD3168會進入跳模模式，此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產生輸出電壓，從而節(jié)省PCB空間。

    此外，其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內置了電流限制保護功能，適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝，并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內工作。

   其主要特性包括：

1、 輸出電流為300mA

2、寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

3、固定輸出電壓為5.0V

4、雙倍電荷泵

5、較小外部元件：無需電感器

6、高頻操作：1.7MHz

7、自動軟啟動限制涌入電流

8、低紋波和EMI

9、過熱和過流保護

10、無負載條件下典型靜態(tài)電流為170uA（跳模模式）

   其應用領域包括：

1、3V至5V的升壓轉換

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電

3、從較低軌道提供的本地5V供電

4、電池備份系統(tǒng)

5、手持便攜式設備

    WD3168是一種效率高、可靠的電源IC，適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應用場景。如需更詳細的信息或產品規(guī)格書請聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D