ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過(guò)應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)，極低電容，出色保護(hù)，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護(hù)敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2815D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器韋爾 封裝:X2-DFN1010-4-EP。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C

    WS4665是一個(gè)單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，提供可配置的上升時(shí)間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個(gè)N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開(kāi)關(guān)由開(kāi)/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號(hào)接口。在WS4665中，增加了一個(gè)230Ω的片上負(fù)載電阻，用于在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導(dǎo)通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開(kāi)關(guān)上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時(shí)間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經(jīng)過(guò)JESD22測(cè)試2000VHBM和1000VCDM

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費(fèi)電子產(chǎn)品

· 機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品、機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)或與我們聯(lián)系。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WPT2N46WL2803K33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-89-5。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計(jì)使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因?yàn)镸OSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了出色的導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計(jì)。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無(wú)鉛和無(wú)鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 鋰離子電池保護(hù)電路

       WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了電路布局，而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外，其無(wú)鉛和無(wú)鹵素的特點(diǎn)也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無(wú)鉛器件

應(yīng)用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢(shì)壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長(zhǎng)時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護(hù)和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢(shì)壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無(wú)鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng)，無(wú)鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時(shí)，也符合了環(huán)保要求。

    總的來(lái)說(shuō)，RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無(wú)鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計(jì)工程師，都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-323。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時(shí)，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù)：確保器件性能穩(wěn)定和長(zhǎng)壽命。

應(yīng)用：

· 計(jì)算機(jī)及其外設(shè)：如鍵盤、鼠標(biāo)、顯示器等。

· 手機(jī)

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的保護(hù)能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無(wú)論是計(jì)算機(jī)、手機(jī)還是便攜式電子設(shè)備，ES9DN12BA都能提供強(qiáng)大的保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

WD3133E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C

      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價(jià)比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時(shí)作為短路保護(hù)和輸出電流限制器，而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態(tài)電流（70μA）使得它在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機(jī)、無(wú)線電話、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙和無(wú)線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無(wú)論是對(duì)于追求高性能的設(shè)計(jì)師，還是對(duì)于尋求成本效益的生產(chǎn)商，WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對(duì)客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84152C