RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應(yīng)用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護(hù)和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強(qiáng)，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時(shí)，也符合了環(huán)保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計(jì)工程師，都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-553。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時(shí)，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù)：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應(yīng)用：

· 計(jì)算機(jī)及其外設(shè)：如鍵盤、鼠標(biāo)、顯示器等。

· 手機(jī)

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的保護(hù)能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無論是計(jì)算機(jī)、手機(jī)還是便攜式電子設(shè)備，ES9DN12BA都能提供強(qiáng)大的保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9105WWAS4642Q-24/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：QFN2534-24L。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關(guān)頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過模式，以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時(shí)的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的高效升壓轉(zhuǎn)換器，1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機(jī)、平板電腦和游戲機(jī)等。其軟啟動電路和電流限制功能增強(qiáng)了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5302F-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-23。

    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計(jì)的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，提供高密度和低功耗?？焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備，且無鉛設(shè)計(jì)滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2083

WS4508E-5/TR 電池管理 封裝：SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。

特點(diǎn)與優(yōu)勢：

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓：0.8V至5V

· 輸出電流：300mA

· 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA，關(guān)機(jī)電流小于1μA

· 低壓降：在輸出電流為0.3A時(shí)，壓降為141mV。

· 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時(shí)，PSRR高達(dá)70dB

· 低輸出電壓噪聲：典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差：±2%

· 推薦電容器：建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保：SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域：

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性，成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接，它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A