WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4612還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：2.5-5.5V

· 主開關RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度：±15%

· 調整電流限制范圍：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升時間：600μS

· 靜態(tài)供電電流：26μA

· 欠壓鎖定

· 自動放電

· 反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應用領域

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關，專為現(xiàn)代電子設備電源管理和保護設計。極低導通電阻和集成電流限制功能，應對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設、數(shù)據(jù)卡和電源分配，確保設備穩(wěn)定運行。緊湊封裝，環(huán)保無鉛無鹵素設計，易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2801E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2866D

      WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術

超高密度單元設計

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應用：

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器

DC-DC轉換器電路

電源開關

負載開關

充電應用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應用?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關，驅動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6007ESD9X7V-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環(huán)保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯(lián)系我們。 WPM1481-6/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：DFN-6L(2x2)。

    ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術，結合極低電容轉向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2866D

ESD56201D10-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2866D

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2866D