WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉(zhuǎn)換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關頻率

高達93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設備設計的高效升壓轉(zhuǎn)換器，1.2MHz開關頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM4006-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。中文資料WILLSEMI韋爾WS72552

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數(shù)碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WCR250N65THWS74199B-6/TR 電流感應放大器 封裝：SOT-363。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要，因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術和設計，提供了出色的導通電阻（RSS(ON)）和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 鋰離子電池保護電路

       WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET，特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設計簡化了電路布局，而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外，其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器（MLV），適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WS742905M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗?？焖匍_關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM2046B-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：DFN-3L(1x0.6)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1481

WPM1483-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。中文資料WILLSEMI韋爾WS72552

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網(wǎng)絡通信設備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72552