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規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302V

來源: 發(fā)布時間:2024-09-21

ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括:截止電壓:5V,根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電),根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs),低電容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏電流:IR < 1nA(典型值),低箝位電壓:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固態(tài)硅技。

     應用領域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便攜式電子設備,筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護,適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 WL2801E33-5/TR 線件穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302V

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WD3168:5V/300mA開關電容電壓轉換器,它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時,WD3168會進入跳模模式,此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓,從而節(jié)省PCB空間。此外,其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內置了電流限制保護功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內工作。

其主要特性包括:

1、輸出電流為300mA

2、寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V

3、固定輸出電壓為5.0V

4、雙倍電荷泵

5、較小外部元件:無需電感器

6、高頻操作:1.7MHz

7、自動軟啟動限制涌入電流

8、低紋波和EMI

9、過熱和過流保護

10、無負載條件下典型靜態(tài)電流為170uA(跳模模式)

其應用領域包括:1、3V至5V的升壓轉換2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電3、從較低軌道提供的本地5V供電4、電池備份系統(tǒng)5、手持便攜式設備WD3168是一種效率高、可靠的電源IC,適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應用場景。如需更詳細的信息或產(chǎn)品規(guī)格書請聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302VWL2851E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。

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WS3202E:過壓和過流保護IC產(chǎn)品描述:WS3202E是一款集過壓保護(OVP)和過流保護(OCP)功能于一體的保護設備。當輸入電壓或輸入電流超過閾值時,該設備會關閉內部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護負載。此外,過溫保護(OTP)功能會監(jiān)控芯片溫度,確保設備安全。封裝形式:SOT-23-6L產(chǎn)品特性:·高壓技術·輸入電壓:25V·輸出上電時間:8ms(典型值)·OVP閾值:6.1V(典型值)·OVP響應時間:<1us·OCP閾值:2A(最小值)·輸出放電功能應用領域:·GPS設備·PMP(便攜式媒體播放器)·MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設備)·PAD(平板電腦)·數(shù)碼相機·數(shù)字攝像機WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護IC,為電子設備提供了雙重安全保障。其高壓技術、快速響應時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應用場合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WS3202E這款過壓電流保護IC,并提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

應用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。

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WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關,可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設計,如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標準兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個開關都是雙向的,對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(480Mbps)并保持信號完整性。特性:D+/D-上的特殊電路設計,使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無論USB設備是關閉還是開啟。SEL/OE引腳具有過壓保護,允許電壓高于VCC,高達7.0V存在于引腳上,而不會損壞或中斷部件的操作,無論工作電壓如何。還具有智能電路,用于至小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說,在實際應用中,無需額外設備將SEL/OE電平與VCC電平相同。應用:·手機·MID(移動設備)·路由器·其他電子設備WAS7227Q是專為高速USB2.0設計的穩(wěn)定、高效CMOS開關,適用于手持和消費電子產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性,環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。WNM2046E-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:DFN-3L(1x0.6)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM2092A

ESD9N12BA-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302V

WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域:

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電應用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時,其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品,還符合環(huán)保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5302V