沒有必要再引出控制極,所以,只有兩個電極(陽極A和陰極K)。但其結構與普通晶閘管一樣,是由4層PNP型器件構成的。光控晶閘管的外形及電路圖形符號如圖1所示。從外形上看,光控晶閘管有受光窗口,還有兩條引腳和殼體,酷似光電二極管。[3]光控晶閘管工作原理編輯當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓、陰極加上負向電壓時,如圖2-(1)所示的光控晶閘管電路可以等效成如圖2-(2)所示的電路。圖2光控晶閘管電路由圖2-(2)可推算出式中I1——光電二極管的光電流;Ia——-光控晶閘管的陽極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1,a2—VT1,VT2的電流放大系數(shù)。由上式可知,Ia與I1成正比,即當光電二極管的光電流增大時,光控晶閘管的輸出電流也相應增大,同時I1的增大,使VT1、VT2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當a1與a2之和接近于1時,光控晶閘管的電流達到大,即完全導通。能使光控晶閘管導通的小光照度,稱為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,一經(jīng)觸發(fā),即成通導狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,它就立即成為通導狀態(tài),而后即使撤離光源也能維持導通,除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相才能關閉。 晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極。廣東Infineon英飛凌晶閘管模塊銷售
晶閘管晶體閘流管簡稱為品閘管,也叫做可控硅,是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。因為它可以像閘門一樣控制電流,所以稱之為“晶體閘流管”。晶體閘流管是常用的功率型半導體控制器件之一,具有的用途。如圖4-42所爾為部分常見晶體閘流管。晶體閘流管種類和規(guī)格很多,適用于各種不同的場合。根據(jù)控制特性的不同,晶體閘流管可分為單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管、正向阻斷晶閘管、反向阻斷晶閘管、光控晶閘管等。根據(jù)電流容量的不同,晶體閘流管可分為小功率管、功率管和大功率管。根據(jù)關斷速度的不同,晶體閘流管可分為普通晶閘管和高頻晶閘管(工作頻率>lOkHz)。根據(jù)封裝和外觀形式的不同,晶體閘流管可分為塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式、大功率螺栓式和平板式等。雙向晶閘管是在單向晶閘管的基礎之上開發(fā)出來的,是一種交流型功率控制器件。雙向品閘管不僅能夠取代兩個反向并聯(lián)的單向晶閘管,而且只需要一個觸發(fā)電路,使用很方便。可關斷晶閘管也稱為門控晶閘管,是在普通晶閘管基礎上發(fā)展起來的功率型控制器件。怎樣識別晶閘管晶體閘流管的文字符號為“VS”,圖形符號如圖4-43所示。國產(chǎn)晶體閘流管的型號見表4-3。 上海進口Infineon英飛凌晶閘管模塊哪家好晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分。
圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況;而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r(如圖中點劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發(fā)后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%(對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%),這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間(對于阻性負載相當于陽極電壓由90%降到10%)稱為上升時間t,開通時間t定義為兩者之和,即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關。[1]關斷過程處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r,由于外電路電感的存在,其陽極電流在衰減時存在過渡過程。陽極電流將逐步衰減到零,并在反方向流過反向恢復電流,經(jīng)過大值I后,再反方向衰減。同時。
若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,應選用雙向晶閘管。若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等,可選用門極關斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,可選用BTG晶閘管。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統(tǒng)及開關電源等電路,可選用逆導晶閘管。若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路,可選用光控晶閘管。2.選擇晶閘管的主要參數(shù):晶閘管的主要參數(shù)應根據(jù)應用電路的具體要求而定。所選晶閘管應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應高于受控電路的大工作電壓和大工作電流1.5~2倍。晶閘管的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應符合應用電路(指門極的控制電路)的各項要求,不能偏高或偏低,否則會影響晶閘管的正常工作。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極:根據(jù)普通晶閘管的結構可知,其門極G與陰極K極之間為一個PN結,具有單向導電特性,而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結。因此。 由于這種特殊電路結構,使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。
高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流大值為2000A,觸發(fā)電流上升率di/dt大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低,因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶閘管屬于半控型器件,通過門極(控制極)只能控制其開通而不能控制其關斷,導通后控制極即不再起作用,要關斷必須切斷電源,即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性,必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路,從而使裝置體積增大,成本增加,而且系統(tǒng)更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構,開通損耗大,工作頻率難以提高,限制了其應用范圍。1970年代末,隨著可關斷晶閘管(GTO)日趨成熟,成功克服了普通晶閘管的缺陷,標志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。 逆導晶閘管的關斷時間幾微秒,工作頻率達幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。天津Infineon英飛凌晶閘管模塊哪里有賣的
晶體閘流管(Thyristor)又稱作可控硅整流器,曾被簡稱為可控硅。廣東Infineon英飛凌晶閘管模塊銷售
光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是利用一定波長的光照信號來代替電信號對器件進行觸發(fā)。光控晶閘管的伏安特性和普通晶閘管一樣,只是隨著光照信號變強其正向轉折電壓逐漸變低。[1]中文名光控晶閘管外文名LightTriggeredThyristor簡稱LTT別稱光觸發(fā)晶閘管特點以光信號代替電信號進行觸發(fā)導通學科電子技術目錄1簡述2結構3工作原理4特性光控晶閘管簡述編輯光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,它是一種以光信號代替電信號來進行觸發(fā)導通的特殊觸發(fā)型晶閘管,其伏安特性曲線與普通晶閘管完全一樣,只是觸發(fā)方式不同。而由于它采用光信號觸發(fā),避免了主回路對控制回路的干擾,適用于要求信號源與主回路高度絕緣的大功率高壓裝置,如高壓直流輸電裝置、高壓核聚變裝置等。[2]光控晶閘管是利用一定波長的光照信號控制的開關器件,其結構也是由四層半導體(PNPN)構成。小功率光控晶閘管只有兩個電極(陽極A和陰極K),而大功率光控晶閘管除陽極和陰極之外,還帶有光纜,光纜上裝有發(fā)光二極管或半導體激光器作為觸發(fā)光源。光控晶閘管結構編輯光控晶閘管也稱GK型光開關管,是一種光敏器件。通常晶閘管有3個電極,控制極G、陽極A和陰極K。由于圖1光控晶閘管光控晶閘管的控制信號來自光的照射。 廣東Infineon英飛凌晶閘管模塊銷售