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甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-27

    并在檢測(cè)電阻40上得到檢測(cè)信號(hào)。因此,這種將檢測(cè)電阻40通過引線直接與主工作區(qū)的源區(qū)金屬相接,可以避免主工作區(qū)的工作電流接地電壓對(duì)測(cè)試的影響。但是,這種方式得到的檢測(cè)電流曲線與工作電流曲線并不對(duì)應(yīng),如圖4所示,得到的檢測(cè)電流與工作電流的比例關(guān)系不固定,在大電流時(shí),檢測(cè)電流與工作電流的偏差較大,此時(shí),電流傳感器1的靈敏性較低,從而導(dǎo)致檢測(cè)電流的精度和敏感性比較低。針對(duì)上述問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊,避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?,提高了檢測(cè)電流的精度。為便于對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行理解,下面首先對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片進(jìn)行詳細(xì)介紹。實(shí)施例一:本發(fā)明實(shí)施例提供了一種igbt芯片,圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖5所示,在igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域10、電流檢測(cè)區(qū)域20和接地區(qū)域30;其中,在igbt芯片上還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置;第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20的公共柵極單元100,以及,工作區(qū)域10的第1發(fā)射極單元101、電流檢測(cè)區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202,其中,第三發(fā)射極單元202與第1發(fā)射極單元101連接。 開關(guān)頻率比較大的IGBT型號(hào)是S4,可以使用到30KHz的開關(guān)頻率。甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售

    本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊,如圖15所示,半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51,還包括驅(qū)動(dòng)集成塊52和檢測(cè)電阻40。具體地,如圖16所示,igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上,驅(qū)動(dòng)集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接,以便于驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20工作;si端口通過模塊引線端子521與檢測(cè)電阻40連接,用于獲取檢測(cè)電阻40上的電壓;以及,gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測(cè)區(qū)域的第1發(fā)射極單元101引出的導(dǎo)線522連接,檢測(cè)電阻40的另一端還分別與電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接,從而通過si端口獲取檢測(cè)電阻40上的測(cè)量電壓,并根據(jù)該測(cè)量電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊,設(shè)置有igbt芯片,其中,igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置;第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元,以及,工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,其中,第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接。 甘肅進(jìn)口英飛凌infineonIGBT模塊銷售IGBT命名方式中,能體現(xiàn)IGBT芯片的年代。

    在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越的應(yīng)用,在較高頻率的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級(jí)的漏電流流過,基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。2、使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí)。

    20-電流檢測(cè)區(qū)域;201-第二發(fā)射極單元;202-第三發(fā)射極單元;30-接地區(qū)域;100-公共柵極單元;200-公共集電極單元;40-檢測(cè)電阻;2-第1發(fā)射極單元金屬;3-空穴收集區(qū)電極金屬;4-氧化物;5-多晶硅;6-n+源區(qū);7-p阱區(qū);8-空穴收集區(qū);9-n型耐壓漂移層;11-p+區(qū);12-公共集電極金屬;13-接觸多晶硅;50-半導(dǎo)體功率模塊;51-igbt芯片;52-驅(qū)動(dòng)集成塊;521-模塊引線端子;522-導(dǎo)線;60-dcb板。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示,igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor,雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中,igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,金氧半場(chǎng)效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor,電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 這個(gè)電壓為系統(tǒng)的直流母線工作電壓。

    MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn),在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻??偟膩碚f,MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好,可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz,缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn),其導(dǎo)通電阻小,耐壓高。選擇MOS管還是IGBT?在電路中,選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結(jié)出以下幾點(diǎn):人們常問:“是MOSFET好還是IGBT好?”其實(shí)兩者沒有什么好壞之分,i主要的還是看其實(shí)際應(yīng)用情況。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別,您若還有疑問,可以詳詢冠華偉業(yè)。深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司,主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產(chǎn)品,產(chǎn)品用于、LED/LCD驅(qū)動(dòng)板、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)板、快充、、液晶顯示器、電源、小家電、醫(yī)療產(chǎn)品、藍(lán)牙產(chǎn)品、電子秤、車載電子、網(wǎng)絡(luò)類產(chǎn)品、民用家電、電腦周邊及各種數(shù)碼產(chǎn)品。 這些IGBT是汽車級(jí)別的,屬于特種模塊,價(jià)格偏貴。四川英飛凌infineonIGBT模塊服務(wù)電話

英飛凌IGBT模塊選型主要是根據(jù)工作電壓,工作電流,封裝形式和開關(guān)頻率來進(jìn)行選擇。甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售

    TC=℃)------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QB-02-091.晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時(shí),元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2.交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,會(huì)產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級(jí)之間存在分布電容,初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。 甘肅代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售