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新疆代理英飛凌infineon整流橋模塊哪里有賣(mài)的

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-10

    本實(shí)用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝,節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本,并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線(xiàn)管腳、零線(xiàn)管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳,以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島;其中,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線(xiàn)連接至對(duì)應(yīng)管腳;所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳,產(chǎn)生邏輯控制信號(hào);所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳;所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線(xiàn)框架封裝在同一個(gè)塑封體中,以此減小封裝成本。所以,本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效,而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此。 整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載,因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。新疆代理英飛凌infineon整流橋模塊哪里有賣(mài)的

    以上就是ASEMI對(duì)于整流橋接法的兩個(gè)方面介紹正、負(fù)極性全波整流電路及故障處理如圖9-24所示是能夠輸出正、負(fù)極性單向脈動(dòng)直流電壓的全波整流電路。電路中的T1是電源變壓器,它的次級(jí)線(xiàn)圈有一個(gè)中心抽頭,抽頭接地。電路由兩組全波整流電路構(gòu)成,VD2和VD4構(gòu)成一組正極性全波整流電路,VD1和VD3構(gòu)成另一組負(fù)極性全波整流電路,兩組全波整流電路共用次級(jí)線(xiàn)圈。圖9-24輸出正、負(fù)極性直流電壓的全波整流電路1.電路分析方法關(guān)于正、負(fù)極性全波整流電路分析方法說(shuō)明下列2點(diǎn):(1)在確定了電路結(jié)構(gòu)之后,電路分析方法和普通的全波整流電路一樣,只是需要分別分析兩組不同極性全波整流電路,如果已經(jīng)掌握了全波整流電路的工作原理,則只需要確定兩組全波整流電路的組成,而不必具體分析電路。(2)確定整流電路輸出電壓極性的方法是:兩二極管負(fù)極相連的是正極性輸出端(VD2和VD4連接端),兩二極管正極相連的是負(fù)極性輸出端(VD1和VD3連接端)。2.電路工作原理分析如表9-28所示是這一正、負(fù)極性全波整流電路的工作原理解說(shuō)。3.故障檢測(cè)方法關(guān)于這一電路的故障檢測(cè)方法說(shuō)明下列幾點(diǎn):(1)如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時(shí),可以不必檢查整流二極管。 河北進(jìn)口英飛凌infineon整流橋模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家將交流電轉(zhuǎn)為直流電的電能轉(zhuǎn)換形式稱(chēng)為整流(AC/DC變換),所用電器稱(chēng)為整流器,對(duì)應(yīng)電路稱(chēng)為整流電路。

    整流橋的作用就是能夠通過(guò)二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c(diǎn)上下浮動(dòng)的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電,通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實(shí)現(xiàn)的,它們的原理完全相同作用就是整流,把交流電變?yōu)橹绷麟?。?shí)質(zhì)上就是把4個(gè)硅二極管接成橋式整流電路之后封裝在一起用塑料包裝起來(lái),引出4個(gè)腳,其中2個(gè)腳接交流電源,用~~符號(hào)表示,2個(gè)腳是直流輸出,用+-表示。特點(diǎn)是方便小巧。不占地方。規(guī)格型號(hào)一般直接用參數(shù)表示:50伏1安,100伏5安等等。如果你要使用整流橋,選擇的時(shí)候留點(diǎn)余量,例如要做12伏2安培輸出的整流電源,就可以選擇25伏5安培的橋。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。整流橋堆整流橋堆一般用在全波整流電路中,它又分為全橋與半橋。全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的,圖是其外形。全橋的正向電流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格,耐壓值(比較高反向電壓)有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。常用的國(guó)產(chǎn)全橋有佑風(fēng)YF系列,進(jìn)口全橋有ST、IR等。

    1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線(xiàn)性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線(xiàn)性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂。 特點(diǎn)是方便小巧。不占地方。

    請(qǐng)參閱圖1~圖7。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例中所提供的圖示以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想,遂圖式中顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制,其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。實(shí)施例一如圖1所示,本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1包括:塑封體11,設(shè)置于所述塑封體11邊緣的多個(gè)管腳,以及設(shè)置于所述塑封體11內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、高壓供電基島13及信號(hào)地基島14。如圖1所示,所述塑封體11呈長(zhǎng)方形,用于將引線(xiàn)框架及器件整合在一起,并保護(hù)內(nèi)部器件。在本實(shí)施例中,所述塑封體11采用sop8的外型尺寸,以此可與現(xiàn)有塑封體共用,進(jìn)而減小成本。在實(shí)際使用中,可根據(jù)需要采用其他外型尺寸,不以本實(shí)施例為限。如圖1所示,各管腳設(shè)置于所述塑封體11的邊緣。具體地,在本實(shí)施例中,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1包括火線(xiàn)管腳l、零線(xiàn)管腳n、高壓供電管腳hv、信號(hào)地管腳gnd、漏極管腳drain及采樣管腳cs。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式。 而整流橋就是整流器的一種,另外,可以說(shuō)整流二極管是**簡(jiǎn)單的整流器。山東代理英飛凌infineon整流橋模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。新疆代理英飛凌infineon整流橋模塊哪里有賣(mài)的

    所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上,接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd,漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs經(jīng)由所述采樣基島18連接所述采樣管腳cs,高壓端口hv連接所述高壓供電管腳hv。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用四基島架構(gòu),將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、高壓續(xù)流二極管及瞬態(tài)二極管集成在一個(gè)引線(xiàn)框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖6所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,第四電容c4,變壓器,二極管d,第五電容c5,負(fù)載及第三采樣電阻rcs3。如圖6所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線(xiàn)管腳l連接火線(xiàn),零線(xiàn)管腳n連接零線(xiàn),信號(hào)地管腳gnd接地。如圖6所示,所述第四電容c4的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖6所示,所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。 新疆代理英飛凌infineon整流橋模塊哪里有賣(mài)的