而它的負極通過R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導通狀態(tài)。理解二極管導通的要點是：正極上電壓高于負極上電壓。2）利用二極管導通后有一個，因為通過調整R1和R2的阻值大小可以達到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒有必要通過串入二極管VD1來調整VT1基極電壓大小。3）利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設溫度升高，根據(jù)三極管特性可知，VT1的基極電流會增大一些。當溫度升高時，二極管VD1的管壓降會下降一些，VD1管壓降的下降導致VT1基極電壓下降一些，結果使VT1基極電流下降。由上述分析可知，加入二極管VD1后，原來溫度升高使VT1基極電流增大的，現(xiàn)在通過VD1電路可以使VT1基極電流減小一些，這樣起到穩(wěn)定三極管VT1基極電流的作用，所以VD1可以起溫度補償?shù)淖饔谩?）三極管的溫度穩(wěn)定性能不良還表現(xiàn)為溫度下降的過程中。在溫度降低時，三極管VT1基極電流要減小，這也是溫度穩(wěn)定性能不好的表現(xiàn)。接入二極管VD1后，溫度下降時，它的管壓降稍有升高，使VT1基極直流工作電壓升高，結果VT1基極電流增大，這樣也能補償三極管VT1溫度下降時的不穩(wěn)定。4．電路分析細節(jié)說明電路分析的細節(jié)說明如下。1）在電路分析中。 三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。山東哪里有西門康SEMIKRON二極管

    正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時。 廣東進口西門康SEMIKRON二極管銷售利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。

    其中有一條就是溫度高低變化時三極管的靜態(tài)電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩(wěn)定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對理解VD1構成的溫度補償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個與溫度相關的不良特性，即溫度升高時，三極管VT1基極電流會增大，溫度愈高基極電流愈大，反之則小，顯然三極管VT1的溫度穩(wěn)定性能不好。由此可知，放大器的溫度穩(wěn)定性能不良是由于三極管溫度特性造成的。2．三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態(tài)時要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來完成。電路中的R1、VD1和R2構成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電壓+V的大小不變，那么VT1基極直流電壓是穩(wěn)定的，則三極管VT1的基極直流電流是不變的，三極管可以穩(wěn)定工作。在分析二極管VD1工作原理時還要搞清楚一點：VT1是NPN型三極管，其基極直流電壓高，則基極電流大；反之則小。3．二極管VD1溫度補償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對它的工作原理分析思路主要說明下列幾點：1）VD1的正極通過R1與直流工作電壓+V相連。

    而整流電流值低的二極管則不能代換整流電流值高的二極管。整流二極管檢查方法編輯首先將整流器中的整流二極管全部拆下，用萬用表的100×R或1000×R歐姆檔，測量整流二極管的兩根引出線(頭、尾對調各測一次)。若兩次測得的電阻值相差很大，例如電阻值大的高達幾百KΩ到無窮大，而電阻值小的幾百Ω甚至更小，說明該二極管是好的(發(fā)生了軟擊穿的二極管除外)。若兩次測得的電阻值幾乎相等，而且電阻值很小，說明該二極管已被擊穿損壞，不能使用。如果兩次測量的阻值都是無窮大，說明此二極管已經(jīng)內部斷開，不能使用。整流二極管常用型號編輯二極管型號，用途，高反向工作電壓VR，大平均整流電流IF1N4001硅整流二極管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二極管100V,1A,1N4003硅整流二極管200V,1A,1N4004硅整流二極管400V,1A,1N4005硅整流二極管600V,1A,1N4006硅整流二極管800V,1A,1N4007硅整流二極管1000V,1A,1N4148硅開關二極管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二極管50V,,(Ir=10uA,Vf=)1N5392硅整流二極管100V,,1N5393硅整流二極管200V,,1N5394硅整流二極管300V,,1N5395硅整流二極管400V,,1N5396硅整流二極管500V,,1N5397硅整流二極管600V,,1N5398硅整流二極管800V,。 發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。

    若能運用元器件的某一特性去合理地解釋它在電路中的作用，說明電路分析很可能是正確的。例如，在上述電路分析中，只能用二極管的溫度特性才能合理解釋電路中VD1的作用。2）溫度補償電路的溫度補償是雙向的，即能夠補償由于溫度升高或降低而引起的電路工作的不穩(wěn)定性。3）分析溫度補償電路工作原理時，要假設溫度的升高或降低變化，然后分析電路中的反應過程，得到正確的電路反饋結果。在實際電路分析中，可以只設溫度升高進行電路補償?shù)姆治?，不必再分析溫度降低時電路補償?shù)那闆r，因為溫度降低的電路分析思路、過程是相似的，只是電路分析的每一步變化相反。4）在上述電路分析中，VT1基極與發(fā)射極之間PN結（發(fā)射結）的溫度特性與VD1溫度特性相似，因為它們都是PN結的結構，所以溫度補償?shù)慕Y果比較好。5）在上述電路中的二極管VD1，對直流工作電壓+V的大小波動無穩(wěn)定作用，所以不能補償由直流工作電壓+V大小波動造成的VT1管基極直流工作電流的不穩(wěn)定性。5．故障檢測方法和電路故障分析這一電路中的二極管VD1故障檢測方法比較簡單，可以用萬用表歐姆檔在路測量VD1正向和反向電阻大小的方法。當VD1出現(xiàn)開路故障時，三極管VT1基極直流偏置電壓升高許多。 光電二極管又稱光敏二極管。廣東進口西門康SEMIKRON二極管銷售

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。山東哪里有西門康SEMIKRON二極管

    即信號幅度沒有大到讓限幅電路動作的程度，這時限幅電路不工作。2）信號幅度比較大時的電路工作狀態(tài)，即信號幅度大到讓限幅度電路動作的程度，這時限幅電路工作，將信號幅度進行限制。用畫出信號波形的方法分析電路工作原理有時相當管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號中的直流電壓，①腳輸出信號中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結合上述信號波形來分析這個二極管限幅電路，當集成電路A1的①腳輸出信號中的交流電壓比較小時，交流信號的正半周加上直流輸出電壓U1也沒有達到VD1、VD2和VD3導通的程度，所以各二極管全部截止，對①腳輸出的交流信號沒有影響，交流信號通過R1加到VT1中。假設集成電路A1的①腳輸出的交流信號其正半周幅度在某期間很大，見圖8-12中的信號波形，由于此時交流信號的正半周幅度加上直流電壓已超過二極管VD1、VD2和VD3正向導通的電壓值，如果每只二極管的導通電壓是，那么3只二極管的導通電壓是。由于3只二極管導通后的管壓降基本不變，即集成電路A1的①腳大為。山東哪里有西門康SEMIKRON二極管