所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd。具體地,所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd與信號地管腳gnd之間。需要說明的是,本實施例增加所述電源地管腳bgnd實現(xiàn)整流橋的接地端與所述邏輯電路122的接地端分開,通過外置電感實現(xiàn)emi濾波,減小電磁干擾。同樣適用于實施例一及實施例三的電源模組,不限于本實施例。需要說明的是,所述整流橋的設(shè)置方式、所述功率開關(guān)管與所述邏輯電路的設(shè)置方式,以及各種器件的組合可根據(jù)需要進行設(shè)置,不以本實用新型列舉的幾種實施例為限。另外,由于應(yīng)用的多樣性,本實用新型主要針對led驅(qū)動領(lǐng)域的三種使用整流橋的拓撲進行了示例,類似的結(jié)構(gòu)同樣適用于充電器/適配器等ac-dc電源領(lǐng)域等,尤其是功率小于25w的中小功率段應(yīng)用,本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易將其推廣到其他使用了整流橋的應(yīng)用領(lǐng)域。本實用新型的拓撲涵蓋led驅(qū)動的高壓線性、高壓buck、flyback三個應(yīng)用,并可以推廣到ac-dc充電器/適配器領(lǐng)域全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的。海南代理西門康SEMIKRON整流橋模塊服務(wù)電話
負極連接所述高壓續(xù)流二極管的負極;所述高壓續(xù)流二極管的正極通過基島或引線連接所述漏極管腳;所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型還提供一種電源模組,所述電源模組至少包括:上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),一電容,負載及一采樣電阻;所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線,零線管腳連接零線,信號地管腳接地;所述一電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端接地;所述負載連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳與漏極管腳之間;所述一采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳,另一端接地。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型還提供一種電源模組,所述電源模組至少包括:上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),第二電容,第三電容,一電感,負載及第二采樣電阻;所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線,零線管腳連接零線,信號地管腳接地;所述第二電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端接地;所述第三電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳。青海西門康SEMIKRON整流橋模塊整流橋,就是將橋式整流的四個二極管封裝在一起,只引出四個引腳。
n型二極管的下層為n型摻雜區(qū),上層為p型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,p型二極管的下層為p型摻雜區(qū),上層為n型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負極(金屬銀層)通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負極(金屬銀層)通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于信號地基島14上,負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第四整流二極管dz4的正極(金屬銀層)通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上,負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。需要說明的是,所述整流二極管可以是由單一pn結(jié)構(gòu)成的二極管,也可以是通過其他形式等效得到的二極管結(jié)構(gòu),包括但不限于mos管,在此不一一贅述。需要說明的是,本實用新型中所述的“連接至管腳”包括但不限于通過金屬引線直接連接管腳(金屬引線的一端設(shè)置在管腳上),還包括通過金屬引線連接與管腳連接的導(dǎo)電部件。
金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上),能實現(xiàn)電連接即可,不限于本實施例。需要說明的是,所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現(xiàn),不限于本實施例,任意可實現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可,在此不一一贅述。如圖1所示,在本實施例中,所述功率開關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地,所述功率開關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號輸出端(輸出邏輯控制信號);所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口連接所述功率開關(guān)管的漏極,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd,漏極端口d連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實施例中,所述控制芯片12的底面為襯底,通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上,所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則,通過金屬引線連接所述信號地基島14,進而實現(xiàn)與所述信號地管腳gnd的連接;漏極端口d通過金屬引線連接所述漏極管腳drain;采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。 通過二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。
生產(chǎn)廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當元器件自帶一散熱器,通過散熱器進行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時,使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。整流橋作為一種功率元器件,非常廣。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。青海西門康SEMIKRON整流橋模塊
整流橋的整流作用是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯摹:D洗砦鏖T康SEMIKRON整流橋模塊服務(wù)電話
整流橋模塊的損壞原因及解決辦法:-整流橋模塊損壞,通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下,我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大,過載沖擊電流過大,熱量散發(fā)不出來。2、負載短路,絕緣不好,負荷電流過大引起;3、頻繁的啟停電源,若是感性負載屬于儲能元件!那么會產(chǎn)生反電動勢。將整流元件反向擊穿。在橋整流時只要一個壞了。則對稱橋臂必燒壞!4、個別元件使用時間較長,質(zhì)量下降!5、輸入電壓過高。整流橋模塊壞了的解決辦法(1)找到引起整流橋模塊損壞的根本原因,并消除,防止換上新整流橋又發(fā)生損壞。(2)更換新整流橋模塊,對焊接的整流橋模塊需確保焊接可靠。確保與周邊元件的電氣安全間距,用螺釘聯(lián)接的要擰緊,防止接觸電阻大而發(fā)熱。與散熱器有傳導(dǎo)導(dǎo)熱的,要求涂好硅脂降低熱阻。(3)對并聯(lián)整流橋模塊要用同一型號、同一廠家的產(chǎn)品以避免電流不均勻而損壞。 海南代理西門康SEMIKRON整流橋模塊服務(wù)電話