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濺射閘閥I型轉移閥

來源: 發(fā)布時間:2024-10-10

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥,步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve,-產品范圍:2.5“~10”-壓力控制-使用步進電機Stepper Motor GV,- Product Range : 2.5” ~ 10”- Pressure Controlled- Using Stepper Motor,用步進電機/控制器操作閥門-通過步進電機/控制器精確控制閥門的壓力-根據產品的不同,控制器可以安裝在客戶需要的地方,微泰,步進電機插板閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。微泰步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。閘閥的結構緊湊,閥門剛性好,通道流暢,流阻數小,密封面采用不銹鋼和硬質合金,使用壽命長。濺射閘閥I型轉移閥

閘閥

微泰,傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉換閥、輸送閥、轉移閥應用于晶圓加工,半導體加工,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用:半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (I-MOTION)、右動轉換閥、驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數: ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。定制閘閥AKT閘閥形體簡單,結構長度短,制造工藝性好,適用范圍廣。

濺射閘閥I型轉移閥,閘閥

微泰半導體閘閥具有獨特的特點:其插板閥主滑閥采用球機構方式,并且在量產工藝設備上經過了性能驗證。該閘閥由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成,陶瓷與金屬接觸驅動時不會產生顆粒。目前已向中國臺灣的 Micron、UMC、AKT,新加坡的 Micron、Global Foundries,馬來西亞的英菲尼亞半導體,日本的 Micron、三星半導體等眾多設備廠批量供貨,且品質得到認可,同時也完成了對半導體 Utility 設備和批量生產設備的驗證。與其他廠家閘閥的金屬與金屬接觸驅動會產生大量顆粒不同,微泰半導體閘閥采用鋼陶瓷球,在與金屬摩擦時不會損壞,且金屬與陶瓷球之間不會產生 Particle。半永久板簧(SUS 鋼板)的應用確保了閥門驅動的同步性,同時還采用了固定球導向器和鋼陶瓷。微泰半導體閘閥廣泛應用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學氣相沉積)等設備上,可替代 HVIA閘閥、VAT 閘閥。此外,該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?/p>

微泰,大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下:驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內徑):16? ~ 30?、 法蘭型:ISO、JIS、ASA 、饋通:Viton O-Rin、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:可調節(jié)、工作壓力范圍:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數:10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。 真空閘閥是真空系統(tǒng)中用于控制氣體進出真空室的機械裝置。

濺射閘閥I型轉移閥,閘閥

微泰半導體閘閥具有諸多特點:其閥門驅動部分的所有滾子和軸承都經過精心防護處理,形成屏蔽和保護環(huán)(Shield Blocker 和 Protection Ring),通過三重預防方式有效切斷粉末(Powder),從而延長閥門驅動及使用壽命。該閘閥采用的三重預防驅動方式中的 Shield 功能,能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內部,同時具備三重保護驅動保護環(huán),可延長 GV 壽命的 Shield 方法,并已供應給海外半導體 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 設備。此外,擋板與閥體之間的距離小于 1mm,能夠強力阻擋內部粉末和氣體的流入,屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成,充分考慮了其復原力,并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護保護環(huán)的主要功能則包括:AL 材料的重量減輕和保護環(huán)內部照明的改善、保護環(huán)內部流速的增加以及三元環(huán)的應用確保了驅動性能的提升。真空閘閥的設計具有獨特的特征。它們具有堅固的結構,通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。定制閘閥AKT

真空閘閥對于隔離不同的真空室、控制工藝過程中的氣流以及在不影響真空環(huán)境的情況下促進維護或維修很重要。濺射閘閥I型轉移閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve,加熱插板閥,加熱閘閥,加熱器的加熱溫度為180-200度(可通過控制器設置溫度)-規(guī)格:適用雙金屬(達到200度時,斷電后溫度下降后重新啟動),應用于去除粉末/氣體設備。微泰,加熱閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。加熱閘閥規(guī)格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:ISO、JIS、ASA、CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數:200,000次、、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。濺射閘閥I型轉移閥