超薄HfO2薄膜XRR測(cè)試引言隨著晶體管節(jié)點(diǎn)技術(shù)的發(fā)展，薄膜厚度越來越薄。比如高-柵介電薄膜HfO2的厚度往往小于2nm。在該技術(shù)節(jié)點(diǎn)的a20范圍內(nèi)。超薄膜的均勻性是制備Hf基柵氧化物的主要工藝難題之一。為了控制超薄HfO2薄膜的厚度和密度，XRR是的測(cè)量技術(shù)。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無論是新手用戶還是專業(yè)用戶，都可簡(jiǎn)單快捷、不出錯(cuò)地對(duì)配置進(jìn)行更改。這都是通過布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的：配置儀器時(shí)，免工具、免準(zhǔn)直，同時(shí)還受到自動(dòng)化的實(shí)時(shí)組件識(shí)別與驗(yàn)證的支持。不止如此——布魯克提供基于NIST標(biāo)樣剛玉（SRM1976）的準(zhǔn)直保證。目前，在峰位、強(qiáng)度和分辨率方面，市面上尚無其他粉末衍射儀的精度超過D8ADVANCE?？诎惭b式Eulerian托架可支持多種應(yīng)用，如應(yīng)力、織構(gòu)和外延膜分析，包括在非環(huán)境條件下。福建檢測(cè)XRD衍射儀

材料研究樣品臺(tái)緊湊型UMC和緊湊型尤拉環(huán)plus樣品臺(tái)能夠精確地移動(dòng)樣品，因此擴(kuò)展了D8ADVANCEPlus的樣品處理能力。緊湊型UMC樣品臺(tái)可對(duì)2Kg的樣品進(jìn)行電動(dòng)移動(dòng)：X軸25mm、Y軸70mm和Z軸52mm，可用于分析大型塊狀樣品或多個(gè)小樣品；緊湊型尤拉環(huán)plus樣品臺(tái)的Phi旋轉(zhuǎn)角度不受限制，Psi傾斜度在-5°到95°之間，可用于應(yīng)力、織構(gòu)和外延薄膜分析。另外，它還具有真空多用途通孔，可通過小型薄膜樣品架或大型手動(dòng)X-Y樣品臺(tái)，將樣品固定在適當(dāng)位置。二者均可用于溫控樣品臺(tái)，進(jìn)行非環(huán)境分析。另外，它們還可借助DIFFRAC.DAVINCI樣品臺(tái)卡口安裝系統(tǒng)，輕松更換樣品臺(tái)。杭州結(jié)晶度檢測(cè)分析從微米到納米厚度的涂層或外延膜的樣品都受益，用于評(píng)估晶體質(zhì)量、薄膜厚度、成分外延排列和應(yīng)變松弛技術(shù)。

藥物制劑生產(chǎn)過程中除需添加各種輔料外，往往還需要經(jīng)過溶解、研磨、干燥(溫度)、壓片等工藝過程，在此過程中API的晶型有可能發(fā)生改變，進(jìn)而可能影響到藥物的療效。國內(nèi)外FDA規(guī)定多晶型藥物在研制、生產(chǎn)、貯存過程中必須保證其晶型的一致性，固體制劑中使用的晶型物質(zhì)應(yīng)該與API晶型一致。因此藥物制劑中的晶型分析是非常重要的。由于輔料的存在對(duì)藥物制劑中API的晶型分析增加了干擾，特別是API含量非常少的制劑樣品，檢測(cè)更加困難。XRPD是API晶型分析的有效手段之一，配合高性能的先進(jìn)檢測(cè)器，為制劑中微量API的晶型檢測(cè)提供了有利工具。

XRD檢測(cè)聚合物結(jié)晶度測(cè)定引言聚合物的結(jié)晶度是與其物理性質(zhì)有很大關(guān)系的結(jié)構(gòu)參數(shù)。有時(shí)，可以通過評(píng)估結(jié)晶度來確定剛度不足，裂紋，發(fā)白和其他缺陷的原因。通常，測(cè)量結(jié)晶度的方法包括密度，熱分析，NMR、IR以及XRD方法。這里將給出通過X射線衍射技術(shù)加全譜擬合法測(cè)定結(jié)晶度的方法的說明以及實(shí)例。結(jié)晶度對(duì)于含有非晶態(tài)的聚合物，其散射信號(hào)來源于兩部分：晶態(tài)的衍射峰和非晶態(tài)漫散峰。那么結(jié)晶度DOC則定義為晶態(tài)衍射峰面積與總散射信號(hào)面積的比值：X射線反射法、掠入射衍射（GID）、面內(nèi)衍射、高分辨率XRD、GISAXS、GI應(yīng)力分析、晶體取向分析。

對(duì)分布函數(shù)（PDF）分析是一種分析技術(shù)，它基于Bragg以及漫散射（“總散射”），提供無序材料的結(jié)構(gòu)信息。其中，您可以通過Bragg衍射峰，了解材料的平均晶體結(jié)構(gòu)的信息（即長程有序），通過漫散射，表征其局部結(jié)構(gòu)（即短程有序）。就分析速度、數(shù)據(jù)質(zhì)量以及對(duì)非晶、弱晶型、納米晶或納米結(jié)構(gòu)材料的分析結(jié)果而言，D8ADVANCE和TOPAS軟件市面上性能好的PDF分析解決方案：相鑒定結(jié)構(gòu)測(cè)定和精修納米粒度和形狀。由于具有出色的適應(yīng)能力，使用D8ADVANCE，您就可對(duì)所有類型的樣品進(jìn)行測(cè)量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無論是新手用戶還是專業(yè)用戶，都可簡(jiǎn)單快捷、不出錯(cuò)地對(duì)配置進(jìn)行更改。這都是通過布魯克獨(dú)特的DAVINCI設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的：配置儀器時(shí)，免工具、免準(zhǔn)直，同時(shí)還受到自動(dòng)化的實(shí)時(shí)組件識(shí)別與驗(yàn)證的支持。而有了UMC樣品臺(tái)的加持，D8 DISCOVER更是成為了電動(dòng)位移和重量能力方面的同類較好。湖北原位分析XRD衍射儀推薦咨詢

在DIFFRAC.LEPTOS中，對(duì)多層樣品進(jìn)行XRR分析，測(cè)定其薄膜厚度、晶格失配和混合晶體濃度。福建檢測(cè)XRD衍射儀

那么,碳晶體的晶胞參數(shù)可直接用來表征其石墨化度。XRD法利用石墨的晶格常數(shù)計(jì)算石墨化度G[1]：式中：0.3440為完全非石墨化炭的(002)晶面間距，nm；0.3354為理想石墨晶體的(002)晶面間距，nm。為實(shí)際石墨試樣（002）晶面間距，nm。實(shí)例不同石墨的石墨化度為了準(zhǔn)確的確定值或(002)峰的峰位，需要在樣品中加入內(nèi)標(biāo)以校準(zhǔn)。本文根據(jù)QJ2507-93[2]規(guī)范，用硅作為內(nèi)標(biāo)物，加入待測(cè)石墨樣品中，在瑪瑙研缽中混合研磨均勻。石墨及其復(fù)合材料具有高溫下不熔融、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能好以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異等特點(diǎn)，應(yīng)用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來鋰電池的快速發(fā)展，進(jìn)一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對(duì)電池的性能有很大影響，石墨化度是一種從結(jié)構(gòu)上表征石墨質(zhì)量的方法之一。福建檢測(cè)XRD衍射儀